本書是為適應(yīng)當(dāng)前中職電子技術(shù)應(yīng)用專業(yè)教學(xué)改革形勢發(fā)展而編寫的一本電子工藝實(shí)踐教材。全書共分兩部分，第1部分為SMT工藝，詳細(xì)介紹了SMT中的焊錫膏印刷、貼片、焊接、檢測等技能型人才應(yīng)該掌握的基本知識，特別強(qiáng)調(diào)了生產(chǎn)現(xiàn)場的工藝指導(dǎo)，同時(shí)也介紹了SMT設(shè)備的性能、操作方法及日常維護(hù)。第2部分是PCB制造方面的知識，主要內(nèi)容

本書主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截?cái)�、單晶硅棒與多晶硅錠開方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線切割、硅片清洗、硅片檢測與包裝等。本書根據(jù)硅片生產(chǎn)工藝流程，采用任務(wù)驅(qū)動(dòng)、項(xiàng)目訓(xùn)練的方法組織教學(xué)，以側(cè)重實(shí)踐操作技能為原則，注重實(shí)踐與理論的緊密結(jié)合，以職業(yè)崗位能力為主線突出應(yīng)用性和實(shí)踐性。本書適合

物理學(xué)是研究物質(zhì)、能量以及它們之間相互作用的科學(xué)。她不僅是化學(xué)、生命、材料、信息、能源和環(huán)境等相關(guān)學(xué)科的基礎(chǔ)，同時(shí)還是許多新興學(xué)科和交叉學(xué)科的前沿。在科技發(fā)展H新月異和國際競爭日趨激烈的今天，物理學(xué)不僅囿于基礎(chǔ)科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用研究的范疇，而且在社會發(fā)展與人類進(jìn)步的歷史進(jìn)程中發(fā)揮著越來越關(guān)鍵的作用。我們欣喜地看到，改革開放

《半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)（影印版）》這是一部由各個(gè)領(lǐng)域世界級專家共同編寫的關(guān)于半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的專著，內(nèi)容包括量子點(diǎn)、自組織生長理論、電子激子態(tài)理論、光學(xué)特性和各種材料中的輸運(yùn)等。它涵蓋了從上世紀(jì)九十年代早期到現(xiàn)在的研究工作。本書中的專題都是世界范圍內(nèi)領(lǐng)袖級半導(dǎo)體或光電器件實(shí)驗(yàn)室的研究焦點(diǎn)。本書適合在凝聚態(tài)物理、材料科學(xué)、半導(dǎo)體

納米半導(dǎo)體具有常規(guī)半導(dǎo)體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領(lǐng)域具有空前的應(yīng)用前景，成為新興納米產(chǎn)業(yè)，如納米信息產(chǎn)業(yè)、納米環(huán)保產(chǎn)業(yè)、納米能源產(chǎn)業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動(dòng)力。《納米半導(dǎo)體材料與器件》力求以最新內(nèi)容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導(dǎo)體特殊性能及其在信息

《微電子與集成電路設(shè)計(jì)系列規(guī)劃教材：半導(dǎo)體器件TCAD設(shè)計(jì)與應(yīng)用》主要內(nèi)容包括：半導(dǎo)體工藝及器件仿真工具SentaurusTCAD，工藝仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具M(jìn)EDICI，工藝及器件仿真工具SILVACO-TCAD，工藝及器件仿真工具ISE-TCAD，工藝仿真工具（DIOS）的優(yōu)化使用，器件仿真工具（

楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導(dǎo)體材料(第3版)》是為大學(xué)本科與半導(dǎo)體相關(guān)的專業(yè)編寫的教材，介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物

《國外電子與通信教材系列：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》系統(tǒng)介紹了電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的各類功率半導(dǎo)體器件。由淺入深地介紹了器件的基本結(jié)構(gòu)、物理機(jī)理、設(shè)計(jì)原則及應(yīng)用可靠性，內(nèi)容以硅功率半導(dǎo)體器件為主，同時(shí)也涵蓋了新興的碳化硅功率器件�！秶�外電子與通信教材系列：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》首先從基本半導(dǎo)體理論開始，依次介紹了各類常用的功率

《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關(guān)氮化物材料。全書共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機(jī)理，HEMT材料的電學(xué)性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/

《半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論（第2版）》共包括15章，第1章概述了半導(dǎo)體制造工藝；第2章介紹了基本的半導(dǎo)體工藝技術(shù)；第3章介紹了半導(dǎo)體器件、集成電路芯片，以及早期的制造工藝技術(shù)；第4章描述了晶體結(jié)構(gòu)、單晶硅晶圓生長，以及硅外延技術(shù)；第5章討論了半導(dǎo)體工藝中的加熱過程；第6章詳細(xì)介紹了光學(xué)光刻工藝；第7章討論了半導(dǎo)體制造過程中使