本書較全面、系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體物理的基本理論、半導(dǎo)體器件原理及MEMS設(shè)計的相關(guān)知識。主要內(nèi)容包括：半導(dǎo)體、雜質(zhì)、能帶、晶格等基本概念，二極管的結(jié)構(gòu)、電流－電壓特性、開關(guān)特性，雙極型、MOS晶體管的電流、電壓方程、瞬變特性、開關(guān)特性、擊穿特性及較新的結(jié)構(gòu)設(shè)計，同時介紹了MEMS的基本概念、設(shè)計方法、應(yīng)用及未來發(fā)展方向。
本書可以作為高等學(xué)校微電子、集成電路專業(yè)本科生專業(yè)英語教材，也可供從事相關(guān)領(lǐng)域科研工作的技術(shù)人員閱讀參考。
1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)
1.1 半導(dǎo)體材料
1.2 晶體結(jié)構(gòu)
1.3 波爾原子模型
1.4 固體材料價鍵模型
1.5 固體材料的能帶模型
1.6 半導(dǎo)體中的自由載流子密度
1.7 施主雜質(zhì)與受主雜質(zhì)
2 載流子的輸運與復(fù)合
2.1 電子與空穴的散射與漂移
2.2 漂移電流
2.3 載流子擴(kuò)散
2.4 載流子產(chǎn)生與復(fù)合過程
3 二極管特性
3.1 介紹
3.2 理想PN結(jié)（定性）
3.3 理想同質(zhì)PN結(jié)（定量）
3.4 PN結(jié)小信號阻抗
3.5 二極管的開關(guān)特性
4 雙極型晶體管的靜態(tài)特性
4.1 介紹
4.2 輸出特性
4.3 電流增益
4.4 理想晶體管模型
4.5 緩變基區(qū)晶體管
4.6 基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（EARLY效應(yīng)）
4.7 晶體管的電流集邊效應(yīng)與基區(qū)電阻
4.8 大注入效應(yīng)
4.9 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)（KIRK效應(yīng)）
4.10 發(fā)射結(jié)的復(fù)合
4.11 擊穿電壓
4.12 直流EBERS-MOLL基本模型
5 雙極型晶體管的動態(tài)特性
5.1 交流EBERS-MOLL模型
5.2 小信號等效電路
5.3 雙極型晶體管的儲藏電荷電容
5.4 晶體管的頻率響應(yīng)
5.5 高頻晶體管
5.6 開關(guān)晶體管
6 MOSFET晶體管的靜態(tài)特性
6.1 介紹
6.2 MOS結(jié)構(gòu)特性
6.3 MOSFET晶體管的電流電壓方程
6.4 橫向電場＆L與縱向電場＆L的影響
6.5 溝道電荷QCH討論
6.6 MOSFET晶體管的閾電壓
7 MOSFET晶體管的動態(tài)特性
8 MEMS工藝微電子機(jī)械系統(tǒng)
附錄
參考文獻(xiàn)
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