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晶體生長(zhǎng)原理與技術(shù)(第二版)

晶體生長(zhǎng)原理與技術(shù)(第二版)

定  價(jià):360 元

        

  • 作者:介萬(wàn)奇編著
  • 出版時(shí)間:2019/2/1
  • ISBN:9787030589989
  • 出 版 社:科學(xué)出版社
  • 中圖法分類(lèi):O781 
  • 頁(yè)碼:796
  • 紙張:
  • 版次:31
  • 開(kāi)本:16
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讀者對(duì)象:本書(shū)適用于從事晶體生長(zhǎng)的科研和工程技術(shù)人員以及該領(lǐng)域研究生

本書(shū)分4篇探討晶體生長(zhǎng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(zhǎng)的基本原理,分5章對(duì)晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過(guò)程、生長(zhǎng)形態(tài)及晶體生長(zhǎng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(zhǎng)的技術(shù)基礎(chǔ),分3章進(jìn)行晶體生長(zhǎng)過(guò)程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流)、化學(xué)基礎(chǔ)問(wèn)題(材料的提純與合成問(wèn)題)以及物理基礎(chǔ)(電、磁、力的作用原理)的綜合分析。第三篇為晶體生長(zhǎng)技術(shù),分4章分別對(duì)以Bridgman法為主的熔體法晶體生長(zhǎng)、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長(zhǎng)、溶液法晶體生長(zhǎng)以及氣相晶體生長(zhǎng)技術(shù)與**發(fā)展進(jìn)行介紹。第四篇分2章分別對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中缺陷的形成與控制和晶體的結(jié)構(gòu)與性能表征方法進(jìn)行論述。

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