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硅基高k氧化物鍶硅界面緩沖層的研究

硅基高k氧化物鍶硅界面緩沖層的研究

定  價(jià):35 元

叢書名:新材料研究系列叢書

        

  • 作者:杜文漢 著
  • 出版時(shí)間:2018/12/1
  • ISBN:9787568410304
  • 出 版 社:江蘇大學(xué)出版社
  • 中圖法分類:O48 
  • 頁(yè)碼:123
  • 紙張:膠版紙
  • 版次:1
  • 開本:32開
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  借助STM這個(gè)可以提供原子尺度結(jié)構(gòu)和電子態(tài)的有 力工具,《硅基高k氧化物鍶硅界面緩沖層的研究》對(duì)Sr/Si體系進(jìn)行了深入的研究,主要 分為以下3個(gè)部分:(1)第一部分:Si(100)襯底上的 Sr/Si再構(gòu);(2)第二部分:Si(111)襯底上的Sr/Si 再構(gòu);(3)第三部分:超薄SrTiO3膜的高溫晶化。
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