本書以作者及其研究團(tuán)隊(duì)多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性為一體。全書共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物L(fēng)ED的基本原理、材料性質(zhì)及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍(lán)、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮化物L(fēng)ED量子效率提升技術(shù)、關(guān)鍵制備工藝、封裝技術(shù)及可靠性分析，LED的應(yīng)用，最后介紹了當(dāng)前氮化物L(fēng)ED的一些研究前沿和熱點(diǎn)。

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