本書是一本介紹半導體集成電路和器件制造技術(shù)的專業(yè)書， 在半導體領(lǐng)域享有很高的聲譽。本書的討論范圍包括半導體工藝的每個階段： 從原材料的制備到封裝、 測試和成品運輸， 以及傳統(tǒng)的和現(xiàn)代的工藝。全書提供了詳細的插圖和實例， 并輔以小結(jié)和習題， 以及豐富的術(shù)語表。第六版修訂了微芯片制造領(lǐng)域的新進展， 討論了用于圖形化、 摻雜和薄膜步驟的先進工藝和尖端技術(shù)， 使隱含在復雜的現(xiàn)代半導體制造材料與工藝中的物理、 化學和電子的基礎信息更易理解。本書的主要特點是避開了復雜的數(shù)學問題介紹工藝技術(shù)內(nèi)容， 并加入了半導體業(yè)界的新成果， 可以使讀者了解工藝技術(shù)發(fā)展的趨勢。
Peter Van Zant 國際知名半導體專家，具有廣闊的工藝工程、培訓、咨詢和寫作方面的背景，他曾先后在IBM和德州儀器（TI）工作，之后再硅谷，又先后在美國國家半導體（National Semiconductor）和單片存儲器（Monolithic Memories）公司任晶圓制造工藝工程和管理職位。他還曾在加利福尼亞州洛杉磯的山麓學院（Foothill College）任講師，講授半導體課程和針對初始工藝工程師的高級課程。他是《半導體技術(shù)詞匯》（第三版）（Semiconductor Technology Glossary, Third Edition）、 《集成電路教程》（Integrated Circuits Text）、《安全第一手冊》（Safety First Manual）和《芯片封裝手冊》（Chip Packaging Manual）的作者。他的書和培訓教程被多家芯片制造商、產(chǎn)業(yè)供貨商、學院和大學所采用。
韓鄭生，男，中科院微電子研究所研究員/教授，博士生導師，研究方向為微電子學與固體電子學，從事集成電路工藝技術(shù)、電路設計方面的工作，曾任高級工程師，光刻工藝負責人，研究室副主任兼任測試工藝負責人，硅工程中心產(chǎn)品部主任，項目/課題負責人。國家特殊津貼獲得者。國家自然基金面上項目評審專家。
目錄
第1章半導體產(chǎn)業(yè)
1.1引言
1.2一個產(chǎn)業(yè)的誕生
1.3固態(tài)時代
1.4集成電路
1.5工藝和產(chǎn)品趨勢
1.6半導體產(chǎn)業(yè)的構(gòu)成
1.7生產(chǎn)階段
1.8微芯片制造過程發(fā)展的
60年
1.9納米時代
習題
參考文獻第2章半導體材料和化學品的特性
2.1引言
2.2原子結(jié)構(gòu)
2.3元素周期表
2.4電傳導
2.5絕緣體和電容器
2.6本征半導體
2.7摻雜半導體
2.8電子和空穴傳導
2.9半導體生產(chǎn)材料
2.10半導體化合物
2.11鍺化硅
2.12襯底工程
2.13鐵電材料
2.14金剛石半導體
2.15工藝化學品
2.16物質(zhì)的狀態(tài)
2.17物質(zhì)的性質(zhì)
2.18壓力和真空
2.19酸、 堿和溶劑
2.20化學純化和清洗
習題
參考文獻第3章晶體生長與硅晶圓制備
3.1引言
3.2半導體硅制備
3.3晶體材料
3.4晶體定向
3.5晶體生長
3.6晶體和晶圓質(zhì)量
3.7晶圓制備
3.8切片
3.9晶圓刻號
3.10磨片
3.11化學機械拋光
3.12背面處理
3.13雙面拋光
3.14邊緣倒角和拋光
3.15晶圓評估
3.16氧化
3.17包裝
3.18工程化晶圓（襯底）
習題
參考文獻第4章晶圓制造和封裝概述
4.1引言
4.2晶圓生產(chǎn)的目標
4.3晶圓術(shù)語
4.4芯片術(shù)語
4.5晶圓生產(chǎn)的基礎工藝
4.6薄膜工藝
4.7晶圓制造實例
4.8晶圓中測
4.9集成電路的封裝
4.10小結(jié)
習題
參考文獻第5章污染控制
5.1引言
5.2污染源
5.3凈化間的建設
5.4凈化間的物質(zhì)與供給
5.5凈化間的維護
5.6晶圓表面清洗
習題
參考文獻第6章生產(chǎn)能力和工藝良品率
6.1引言
6.2良品率測量點
6.3累積晶圓生產(chǎn)良品率
6.4晶圓生產(chǎn)良品率的制約因素
6.5封裝和最終測試良品率
6.6整體工藝良品率
習題
參考文獻第7章氧化
7.1引言
7.2二氧化硅層的用途
7.3熱氧化機制
7.4氧化工藝
7.5氧化后評估
習題
參考文獻第8章十步圖形化工藝流程——從表面
制備到曝光
8.1引言
8.2光刻工藝概述
8.3光刻十步法工藝過程
8.4基本的光刻膠化學
8.5光刻膠性能的要素
8.6光刻膠的物理屬性
8.7光刻工藝： 從表面制備到
曝光
8.8表面制備
8.9涂光刻膠（旋轉(zhuǎn)式）
8.10軟烘焙
8.11對準和曝光
8.12先進的光刻
習題
參考文獻第9章十步圖形化工藝流程——從顯影
到最終檢驗
9.1引言
9.2硬烘焙
9.3刻蝕
9.4濕法刻蝕
9.5干法刻蝕
9.6干法刻蝕中光刻膠的影響
9.7光刻膠的去除
9.8去膠的新挑戰(zhàn)
9.9最終目檢
9.10掩模版的制作
9.11小結(jié)
習題
參考文獻第10章下一代光刻技術(shù)
10.1引言
10.2下一代光刻工藝的挑戰(zhàn)
10.3其他曝光問題
10.4其他解決方案及其挑戰(zhàn)
10.5晶圓表面問題
10.6防反射涂層
10.7高級光刻膠工藝
10.8改進刻蝕工藝
10.9自對準結(jié)構(gòu)
10.10刻蝕輪廓控制
習題
參考文獻第11章?lián)诫s
11.1引言
11.2擴散的概念
11.3擴散形成的摻雜區(qū)和結(jié)
11.4擴散工藝的步驟
11.5淀積
11.6推進氧化
11.7離子注入簡介
11.8離子注入的概念
11.9離子注入系統(tǒng)
11.10離子注入?yún)^(qū)域的雜質(zhì)
濃度
11.11離子注入層的評估
11.12離子注入的應用
11.13摻雜前景展望
習題
參考文獻第12章薄膜淀積
12.1引言
12.2化學氣相淀積基礎
12.3CVD的工藝步驟
12.4CVD系統(tǒng)分類
12.5常壓CVD系統(tǒng)
12.6低壓化學氣相淀積
（LPCVD）
12.7原子層淀積
12.8氣相外延
12.9分子束外延
12.10金屬有機物CVD
12.11淀積膜
12.12淀積的半導體膜
12.13外延硅
12.14多晶硅和非晶硅淀積
12.15SOS和SOI
12.16在硅上生長砷化鎵
12.17絕緣體和絕緣介質(zhì)
12.18導體
習題
參考文獻第13章金屬化
13.1引言
13.2淀積方法
13.3單層金屬
13.4多層金屬設計
13.5導體材料
13.6金屬塞
13.7濺射淀積
13.8電化學鍍膜
13.9化學機械工藝
13.10CVD金屬淀積
13.11金屬薄膜的用途
13.12真空系統(tǒng)
習題
參考文獻第14章工藝和器件的評估
14.1引言
14.2晶圓的電特性測量
14.3工藝和器件評估方法
14.4物理測試方法
14.5層厚的測量
14.6柵氧化層完整性電學
測量
14.7結(jié)深
14.8污染物和缺陷檢測
14.9總體表面特征
14.10污染認定
14.11器件電學測量
習題
參考文獻第15章晶圓制造中的商業(yè)因素
15.1引言
15.2晶圓制造的成本
15.3自動化
15.4工廠層次的自動化
15.5設備標準
15.6統(tǒng)計制程控制
15.7庫存控制
15.8質(zhì)量控制和ISO 9000認證
15.9生產(chǎn)線組織架構(gòu)
習題
參考文獻第16章器件和集成電路組成的
介紹
16.1引言
16.2半導體器件的形成
16.3MOSFET按比例縮小帶來
的挑戰(zhàn)的替代方案
16.4集成電路的形成
16.5BiMOS
16.6超導體
習題
參考文獻第17章集成電路簡介
17.1引言
17.2電路基礎
17.3集成電路的類型
17.4下一代產(chǎn)品
習題
參考文獻第18章封裝
18.1引言
18.2芯片的特性
18.3封裝功能和設計
18.4引線鍵合工藝
18.5凸點或焊球工藝示例
18.6封裝設計
18.7封裝類型和技術(shù)小結(jié)
習題
參考文獻
書單推薦
