章 緒論1．1 研究的目的和意義1．2 SiOx 薄膜類阻隔包裝材料研究進展1．2．1 SiOx薄膜制備方法1．2．2 SiOx薄膜類氣體阻隔薄膜制備及發(fā)展1．2．3 聚合物表面鍍膜類高阻隔包裝材料的阻隔機制1．3 磁控共濺射含高分子靶材的復合薄膜研究進展1．3．1 磁控單靶濺射高分子靶材1．3．2 磁控共濺射氧化硅/高分子復合薄膜1．4 本文主要研究的內(nèi)容第2 章 試驗設(shè)計及表征方法2．1 引言2．2 高分子靶材的設(shè)計及制備2．2．1 阻隔薄膜的設(shè)計要求2．2．2 高分子靶材設(shè)計的思路2．2．3 高分子靶材DCPD/MA的制備2．3 磁控共濺射沉積薄膜基本工藝過程2．3．1 磁控共濺射實驗設(shè)備2．3．2 薄膜沉積基本工藝過程2．4 磁控濺射過程中等離子組分測量的原位質(zhì)譜法2．5 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜分析與表征方法2．5．1 形貌表征方法2．5．2 組織成分及結(jié)構(gòu)分析方法2．5．3 性能檢測方法第3 章 磁控濺射過程中等離子組分的分析3．1 磁控濺射SiO2 靶材的等離子組分的測量3．1．1 磁控濺射SiO2靶材等離子組分中的離子檢測3．1．2 磁控濺射SiO2靶材等離子組分中的自由基檢測3．2 磁控濺射DCPD/MA 靶材等離子組分的測量3．2．1 磁控濺射DCPD/MA靶材等離子組分中的離子檢測3．2．2 磁控濺射DCPD/MA靶材等離子組分中的自由基檢測3．2．3 磁控濺射DCPD/MA靶材的解離路徑3．3 本章小結(jié)第4 章 磁控濺射沉積SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的工藝研究4．1 磁控濺射沉積SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的特性4．1．1 磁控濺射高分子DCPD/MA靶材的沉積特性4．1．2 磁控濺射單靶SiO2的沉積特性4．1．3 磁控共濺射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的沉積特性及軸向均勻性4．2 沉積工藝參數(shù)的研究4．2．1 雙靶靶材輸入功率比PDCPD/MA/PSiO2的研究4．2．2 工作氣壓的研究4．2．3 卷繞速率的研究4．2．4 沉積時間的研究4．3 本章小結(jié)第5 章 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜成分、結(jié)構(gòu)及形貌分析5．1 雙靶輸入功率比的影響5．1．1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的成分分析5．1．2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的結(jié)構(gòu)分析5．1．3 不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的結(jié)構(gòu)形貌5．1．4 不同功率比的SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的表面形態(tài)5．2 卷繞速度的影響5．2．1 卷繞速度對薄膜結(jié)構(gòu)的影響5．2．2 卷繞速度影響薄膜沉積過程的數(shù)學描述5．3 沉積時間的影響5．3．1 沉積時間對薄膜成分的影響5．3．2 薄膜的深度方向成分分布5．4 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的結(jié)構(gòu)模型5．4．1 磁控共濺射過程中Si粒子與高分子鏈段碎片之間的復合形式5．4．2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的結(jié)構(gòu)模型5．5 本章小結(jié)第6 章 PET 基底磁控共濺射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜性能及阻隔機制的研究6．1 PET 基底磁控共濺射SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的力學特性6．1．1 PET基底磁控共濺射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜的拉伸力學特性6．1．2 聚合物基底磁控共濺射SiOx-(DCPD/MA)f薄膜耐折力學特性6．2 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的氣體阻隔性能6．2．1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜對惰性氣體的阻隔性能6．2．2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜對O2的阻隔性能6．2．3 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜對水蒸氣的阻隔性能6．3 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜對重金屬及有機大分子的阻隔性能6．3．1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜對重金屬的阻隔性能6．3．2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜對有機大分子的阻隔性能6．3．3 多層阻隔膜的阻隔性能6．4 SiOx-(DCPD/MA)f 薄膜的阻隔機制6．4．1 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜對惰性氣體的阻隔機制6．4．2 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜對O2的阻隔機制6．4．3 SiOx-(DCPD/MA)f薄膜防止重金屬污染物遷移的阻隔機制6．4．4 多層薄膜的阻隔機制 6．5 本章小結(jié)結(jié)論參考文獻