第1章 功率半導(dǎo)體封裝概述
1.1　概述
1.1.1 功率半導(dǎo)體器件概述
1.1.2 功率半導(dǎo)體發(fā)展歷程[2-6]
1.2　功率半導(dǎo)體封裝
1.2.1 功率半導(dǎo)體封裝的特點(diǎn)
1.2.2 分立功率器件封裝
1.2.3 功率半導(dǎo)體模塊封裝
1.2.4 功率集成電路封裝
1.3　功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)和應(yīng)用
1.4　小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章 功率半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)
2.1　功率半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)概述
2.1.1 封裝設(shè)計(jì)
2.1.2 建模和仿真
2.2　電學(xué)設(shè)計(jì)
2.2.1 寄生參數(shù)簡(jiǎn)介
2.2.2 功率半導(dǎo)體封裝寄生參數(shù)
2.2.3 功率器件封裝電學(xué)建模及仿真
2.3　熱設(shè)計(jì)
2.3.1 傳熱理論基礎(chǔ)
2.3.2 熱阻
2.3.3 常見(jiàn)功率半導(dǎo)體器件的冷卻方法
2.3.4 熱仿真及優(yōu)化設(shè)計(jì)
2.4　熱機(jī)械設(shè)計(jì)
2.4.1 應(yīng)力分析
2.4.2 熱機(jī)械仿真
2.5　電熱力耦合設(shè)計(jì)
2.6　小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 功率半導(dǎo)體封裝工藝
3.1　功率半導(dǎo)體器件主要封裝外形
3.2　功率半導(dǎo)體器件典型封裝工藝
3.2.1 圓片減薄
3.2.2 貼片
3.2.3 劃片
3.2.4 裝片
3.2.5 鍵合
3.2.6 塑封
3.2.7 塑封后固化
3.2.8 去飛邊
3.2.9 電鍍
3.2.10 打印
3.2.11 切筋成形
第4章 IGBT封裝工藝
4.1　IGBT器件封裝結(jié)構(gòu)
4.2　IGBT器件封裝工藝
4.2.1 芯片配組
4.2.2 芯片焊接
4.2.3 芯片焊層空洞檢測(cè)
4.2.4 鍵合
4.2.5 子單元焊接
4.2.6 外殼安裝
4.2.7 硅凝膠灌封
4.2.8 電極折彎
4.2.9 IGBT例行試驗(yàn)
參考文獻(xiàn)
第5章 新型功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)
5.1　SiC功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)
5.1.1 SiC功率半導(dǎo)體器件主要封裝外形及特點(diǎn)
5.1.2 SiC功率半導(dǎo)體器件封裝關(guān)鍵工藝
5.2　GaN功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)
5.2.1 GaN功率半導(dǎo)體器件主要封裝外形及封裝特點(diǎn)
5.2.2 GaN功率半導(dǎo)體器件封裝關(guān)鍵工藝
第6章 功率器件的測(cè)試技術(shù)
6.1　測(cè)試概述
6.2　測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
6.3　參數(shù)測(cè)試
6.3.1 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
6.3.2 動(dòng)態(tài)參數(shù)
6.3.3 絕緣測(cè)試
6.4　電性能抽樣測(cè)試及抽樣標(biāo)準(zhǔn)
6.5　測(cè)試數(shù)據(jù)分析
第7章 功率半導(dǎo)體封裝的可靠性試驗(yàn)
7.1　概述
7.1.1 可靠性試驗(yàn)的目的
7.1.2 可靠性試驗(yàn)的分類
7.1.3 可靠性試驗(yàn)的應(yīng)用
7.2　環(huán)境類試驗(yàn)
7.2.1 濕氣敏感等級(jí)試驗(yàn)與預(yù)處理試驗(yàn)
7.2.2 溫度循環(huán)試驗(yàn)
7.2.3 高壓蒸煮試驗(yàn)
7.2.4 高溫高濕試驗(yàn)
7.2.5 高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)
7.2.6 低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)
7.2.7 高速老化試驗(yàn)
7.3　壽命類試驗(yàn)
7.3.1 高溫反偏試驗(yàn)
7.3.2 電耐久試驗(yàn)
7.3.3 間歇壽命試驗(yàn)
7.3.4 高溫壽命試驗(yàn)
7.4　其他試驗(yàn)
7.4.1 可焊性試驗(yàn)
7.4.2 耐溶性試驗(yàn)
7.4.3 耐火性試驗(yàn)
7.5　產(chǎn)品的工程試驗(yàn)方法
第8章 功率半導(dǎo)體封裝的失效分析
8.1　概述
8.1.1 封裝失效分析的目的和應(yīng)用
8.1.2 封裝失效機(jī)理
8.2　失效分析方法
8.2.1 電性能分析
8.2.2 無(wú)損分析
8.2.3 有損分析
8.3　封裝失效的主要影響因素
8.3.1 工作環(huán)境
8.3.2 封裝應(yīng)力
8.4　失效分析方案設(shè)計(jì)與實(shí)例
8.4.1 失效分析方案設(shè)計(jì)
8.4.2 失效分析實(shí)例
8.5　小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第9章 功率半導(dǎo)體封裝材料
9.1　功率半導(dǎo)體封裝材料的關(guān)鍵性質(zhì)
9.1.1 力學(xué)性能
9.1.2 熱學(xué)性能
9.1.3 電學(xué)性能
9.1.4 理化性能
9.2　塑封材料
9.2.1 環(huán)氧塑封料
9.2.2 硅凝膠封裝材料
9.2.3 模塊外殼與蓋板材料
9.3　芯片粘接材料
9.3.1 銀漿
9.3.2 錫焊料
9.3.3 納米銀燒結(jié)材料
9.4　基板材料
9.4.1 陶瓷基板概述及特性
9.4.2 直接鍍銅陶瓷基板
9.4.3 直接覆銅陶瓷基板
9.4.4 活性釬焊陶瓷基板
9.5　鍵合材料
9.5.1 鋁線
9.5.2 鋁帶
9.5.3 鋁包銅線
9.5.4 銅片
9.5.5 金線
9.6　電鍍材料
9.7　小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章 功率半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢(shì)與挑戰(zhàn)
10.1　高電學(xué)性能
10.1.1 增強(qiáng)電磁抗干擾性與電磁兼容性
10.1.2 降低封裝寄生電阻和寄生電感
10.2　高散熱性能
10.2.1 改進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)
10.2.2 改進(jìn)封裝材料
10.2.3 改進(jìn)冷卻方法
10.3　高可靠性
10.4　小型化
10.4.1 壓接式封裝
10.4.2 緊湊型封裝
10.5　高功率密度
10.6　低成本
10.7　集成化和智能化
10.8　寬禁帶半導(dǎo)體時(shí)代
10.8.1 SiC、GaN器件
10.8.2 超寬禁帶半導(dǎo)體材料器件
10.9　小結(jié)
參考文獻(xiàn)