硅通孔三維集成電路實(shí)現(xiàn)了晶圓在豎直方向的堆疊集成,具有集成度高、互連延遲小、速度快等優(yōu)點(diǎn);因而得到了廣泛關(guān)注,本書(shū)系統(tǒng)化介紹了硅通孔三維集成電路測(cè)試中的各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),為讀者進(jìn)行更深層次的三維集成電路設(shè)計(jì)、模擬、測(cè)試和可測(cè)性設(shè)計(jì)打下良好的基礎(chǔ),也為三維集成電路的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和應(yīng)用之間建立一個(gè)相互交流的平臺(tái),
本書(shū)主要內(nèi)容包括硅通孔三維集成電路的概念、基本測(cè)試方法、硅通孔故障機(jī)理及建模、綁定前硅通孔測(cè)試、綁定后硅通孔測(cè)試、三維集成電路可測(cè)性設(shè)計(jì)和測(cè)試結(jié)構(gòu)、測(cè)試調(diào)度策略等。
本書(shū)既可作為高等院校高年級(jí)本科生和研究生的專(zhuān)業(yè)課教材,也可作為從事集成電路設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試、應(yīng)用EDA和 ATE專(zhuān)業(yè)人員的參考用書(shū)。
目 錄
第1章 緒論
1.1 三維集成電路的基本概念
1.2 三維集成電路的測(cè)試
1.3 本章小結(jié)
第 2章 硅通孔三維集成電路測(cè)試基本概念
2.1 集成電路測(cè)試基礎(chǔ)
2.2 可測(cè)試性設(shè)計(jì)
2.3 三維集成電路測(cè)試的特殊性
2.4 硅通孔三維集成電路測(cè)試概述
2.5 硅通孔三維集成電路測(cè)試中面臨的挑戰(zhàn)
2.6 本章小結(jié)
第3章 硅通孔故障建模
3.1 概述
3.2 基于有限元分析的硅通孔電參數(shù)提取
3.3 硅通孔的失效機(jī)理與故障建模
3.4 本章小結(jié)
第 4章 綁定前硅通孔的測(cè)試方法
4.1概述
4.2 基于IEEE1149.1的綁定前硅通孔的探針測(cè)試方法
4.3 基于開(kāi)關(guān)電容的綁定前硅通孔的片上測(cè)試方法
4.4 本章小結(jié)
第 5章 綁定后硅通孔的測(cè)試與故障診斷方法
5.1 概述
5.2 測(cè)試機(jī)理
5.3 故障診斷方法
5.4 測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.5 仿真結(jié)果與分析
5.6 半實(shí)物仿真實(shí)驗(yàn)
5.7 故障檢測(cè)實(shí)驗(yàn)
5.8 本章小結(jié)
第6章 三維集成電路測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
6.1 三維集成電路測(cè)試結(jié)構(gòu)概述
6.2 IEEE國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)
6.3 測(cè)試封裝設(shè)計(jì)
6.4 實(shí)驗(yàn)仿真
6.5 本章小結(jié)
第7章 三維集成電路測(cè)試調(diào)度方法
7.1 概述
7.2 含混合粒度三維IP 核的集成電路測(cè)試調(diào)度
7.3 三維集成電路測(cè)試調(diào)度方法
7.4 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果分析
7.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)