第 1章 硅襯底LED光源與器件 001 1.1　硅襯底LED材料的結(jié)構(gòu)與生長　002 1.1.1　襯底　002 1.1.2　漸變AlGaN緩沖層　009 1.1.3　量子阱應(yīng)變工程　011 1.1.4　GaN基LED的V形坑　014 1.2　硅襯底LED芯片的制造與封裝　018 1.2.1　反射鏡P型歐姆接觸　019 1.2.2　互補(bǔ)電極　020 1.2.3　薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)　021 1.2.4　N極性N型GaN的表面粗化　023 1.2.5　N極性N型GaN上的歐姆接觸　025 1.2.6　鈍化　025 1.3　硅襯底LED器件的性能與特點(diǎn)　026 1.4　硅襯底LED在光通信中的應(yīng)用前景　030 參考文獻(xiàn)　035 第　2章 面向可見光通信的 OLED和有機(jī)發(fā)光材料　041 2.1　OLED發(fā)展簡介　042 2.2　有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光原理　044 2.3　OLED器件結(jié)構(gòu)　051 2.4　有機(jī)發(fā)光材料與器件的核心參數(shù)　057 2.5　OLED在可見光通信中的發(fā)展　061 2.6　適合可見光通信的有機(jī)發(fā)光材料　065 參考文獻(xiàn)　070 第3章　基于Micro-LED的可見光通信　077 3.1　Micro-LED的制備　078 3.1.1　光刻　078 3.1.2　濕法刻蝕和干法刻蝕　080 3.1.3　金屬歐姆接觸的制備　083 3.1.4　Micro-LED的基本光電特性　084 3.2　Micro-LED調(diào)制帶寬　085 3.3　Micro-LED應(yīng)用系統(tǒng)　090 3.3.1　基于CMOS封裝的Micro-LED系統(tǒng)　090 3.3.2　低成本、高密度的二維可見光互聯(lián)通信系統(tǒng)　093 3.4　智能Micro-LED系統(tǒng)　104 3.4.1　多功能Micro-LED芯片　104 3.4.2　Micro-LED作為探測器的響應(yīng)特性　106 3.4.3　Micro-LED雙工通信系統(tǒng)　112 參考文獻(xiàn)　114 第4章　半導(dǎo)體雪崩探測器　117 4.1　離化碰撞　118 4.1.1　離化閾值能量　118 4.1.2　電子、空穴的離化系數(shù)　123 4.1.3　高電場下聲子散射　125 4.2　雪崩探測器器件原理　129 4.2.1　半導(dǎo)體雪崩探測器簡介　129 4.2.2　雪崩速率方程　130 4.2.3　雙極離化與單極離化　135 4.2.4　雪崩過剩噪聲　136 4.3　離化碰撞工程　138 4.3.1　梯度帶隙雪崩探測器　139 4.3.2　超晶格雪崩探測器　141 4.3.3　隧道雪崩探測器　143 4.4　常見半導(dǎo)體雪崩探測器　147 4.4.1　硅襯底雪崩探測器　147 4.4.2　吸收倍增分離Ge/Si雪崩探測器　150 4.4.3　InGaAsP基雪崩探測器　152 參考文獻(xiàn)　154 第5章　新型可見光探測材料與器件　157 5.1　有機(jī)材料與光伏器件　158 5.2　有機(jī)太陽能電池探測器　163 5.3　有機(jī)及鈣鈦礦光電探測器　165 5.4　有機(jī)太陽能聚光器　167 參考文獻(xiàn)　170 名詞索引　175