圖解入門——半導(dǎo)體器件缺陷與失效分析技術(shù)精講 [日]可靠性技術(shù)叢書編輯委員會(huì)
定 價(jià):99 元
- 作者:[日]可靠性技術(shù)叢書編輯委員會(huì)
- 出版時(shí)間:2024/3/1
- ISBN:9787111749622
- 出 版 社:機(jī)械工業(yè)出版社
- 中圖法分類:TN305-64
- 頁(yè)碼:
- 紙張:純質(zhì)紙
- 版次:
- 開本:16開
本書共分為4章,內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書中各處開設(shè)了專欄,用以介紹每個(gè)領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題,這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級(jí)可靠性技術(shù)者”資格認(rèn)定考試,題型為5選1,希望大家可以利用這些例題來(lái)測(cè)試一下自身的水平。
本書的讀者包括:半導(dǎo)體器件工藝及器件的相關(guān)技術(shù)人員,可靠性技術(shù)人員,失效分析技術(shù)人員,試驗(yàn)、分析、實(shí)驗(yàn)的負(fù)責(zé)人,以及大學(xué)生、研究生等。因此,羅列的內(nèi)容層次從基礎(chǔ)介紹到最新研究,覆蓋范圍較廣。
各種分析工具可有效提升良率
多位日本半導(dǎo)體專家傾力打造
硅集成電路 (LSI) 的失效分析
功率器件的缺陷、失效分析
化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷、失效分析
本書講述的半導(dǎo)體器件包括硅集成電路(LSI)、功率器件和化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件。表現(xiàn)不佳半導(dǎo)體器件分為次品器件(在制造工藝中出現(xiàn)缺陷)和失效器件(在使用中或者可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中出現(xiàn)故障)。
本書的讀者包括:半導(dǎo)體器件工藝及器件的相關(guān)技術(shù)人員,可靠性技術(shù)人員,失效分析技術(shù)人員,試驗(yàn)分析、實(shí)驗(yàn)的負(fù)責(zé)人,以及大學(xué)生、研究生等。
因此,羅列的內(nèi)容層次從基礎(chǔ)介紹到最新研究,覆蓋范圍較廣。
3名執(zhí)筆人員分別(或同時(shí))具有在企業(yè)工作和在大學(xué)進(jìn)行研究、教學(xué)的經(jīng)驗(yàn),在編寫工作的分配上充分考慮了3人各自的工作經(jīng)驗(yàn)。
整體構(gòu)成及LSI相關(guān)由二川負(fù)責(zé),功率器件相關(guān)由山本負(fù)責(zé),化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件相關(guān)由上田負(fù)責(zé)。
書中多處列有專欄,用于解釋說(shuō)明,希望有助于讀者加深對(duì)本行業(yè)的理解。
另外,在第2~4章的末尾各列入了3道問(wèn)題,這些問(wèn)題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級(jí)可靠性技術(shù)者”資格認(rèn)定考試,題型為5選1,希望大家可以利用這些問(wèn)題來(lái)測(cè)試一下自身水平。
最后,向爽快答應(yīng)本書企劃的可靠性技術(shù)叢書編輯委員會(huì)的各位同仁、石田新先生等日科技聯(lián)出版社的各位同仁,以及耐心負(fù)責(zé)本書編輯工作的木村修先生致以真誠(chéng)的謝意。
山本秀和,北海道大學(xué)研究生院工學(xué)研究科電氣工學(xué)博士。在三菱電機(jī)從事Si-LSI及功率器件的研究開發(fā),F(xiàn)任千葉工業(yè)大學(xué)教授,從事功率器件和功率器件產(chǎn)品的分析技術(shù)研究。曾任北海道大學(xué)客座教授、功率器件賦能協(xié)會(huì)理事、新金屬協(xié)會(huì)硅晶體分析技術(shù)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)審議委員會(huì)委員長(zhǎng)、新金屬協(xié)會(huì)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈研究會(huì)副委員長(zhǎng)等。
上田修,東京大學(xué)工學(xué)部物理工學(xué)博士。1974—2005年,在富士通研究所(股份有限公司)從事半導(dǎo)體中晶格缺陷的分析以及半導(dǎo)體發(fā)光器件、電子器件劣化機(jī)制闡明的研究。2005—2019年,在金澤工業(yè)大學(xué)研究生院工學(xué)研究科任教授,F(xiàn)為明治大學(xué)客座教授。
二川清,大阪大學(xué)研究生院基礎(chǔ)工學(xué)研究科物理系工學(xué)博士。在NEC和NEC電子從事半導(dǎo)體可靠性和失效分析技術(shù)的實(shí)際業(yè)務(wù)和研究開發(fā)。曾任大阪大學(xué)特聘教授、金澤工業(yè)大學(xué)客座教授、日本可靠性學(xué)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)等職,F(xiàn)任芝浦工業(yè)大學(xué)兼職講師。
前言
第1章 半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要/
1.1失效分析的定位/
1.2缺陷分析的定位/
1.3用于缺陷及失效分析的分析工具概要/
專欄:NANOTS的成立與更名/
第1章參考文獻(xiàn)/
第2章 硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)/
2.1失效分析的步驟和近8年新開發(fā)或普及的技術(shù)/
2.2封裝部件的失效分析/
2.3芯片部件失效分析過(guò)程和主要失效分析技術(shù)一覽/
2.4芯片部件的無(wú)損分析方法/
2.5芯片部件的半破壞性分析/
2.6物理和化學(xué)分析方法/
專欄:應(yīng)該如何命名?/
第2章練習(xí)題/
第2章縮略語(yǔ)表/
第2章參考文獻(xiàn)/
第3章 功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)/
3.1功率器件的結(jié)構(gòu)和制造工藝/
3.2由晶圓制造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術(shù)/
專欄:晶圓背面狀態(tài)對(duì)工藝的影響/
3.3由芯片制造工藝引起的器件缺陷及失效分析技術(shù)/
專欄:堿金屬的加速氧化/
3.4由模塊制造工藝引起的設(shè)備缺陷及失效分析技術(shù)/
3.5功率器件的其他分析技術(shù)/
專欄:增大用于功率器件的晶圓直徑/
第3章練習(xí)題/
第3章參考文獻(xiàn)/
第4章 化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)/
4.1化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的工作原理和結(jié)構(gòu)/
4.2化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性(以半導(dǎo)體激光器為例)/
4.3化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的可靠性測(cè)試/
4.4化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件缺陷及失效分析的基本技術(shù)/
4.5化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件缺陷及失效分析流程圖/
專欄:高速增長(zhǎng)的VCSEL市場(chǎng),可靠性沒問(wèn)題?不!/
第4章練習(xí)題/
第4章縮略語(yǔ)表/
第4章參考文獻(xiàn)/
作者介紹/
練習(xí)題答案