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半導體結構 讀者對象:《半導體結構》適合于微電子科學與工程及電子科學與技術等涉及半導體技術的電子學專業(yè)及相關學科的學習者,主要作為學習半導體技術領域相關內容的第一本專業(yè)課程學習資料。同時本書除作為專業(yè)課教材外,也適合對半導體技術有興趣并具有一定數(shù)學、物理、化學及幾何學知識儲備的讀者作為入門讀物。
《半導體結構》主要內容總體可被劃分為兩個部分,分別是晶體的結構理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體(完美晶體)的主要性質與基本概念撰寫,加深讀者對晶體結構和關鍵性質的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結構、對稱性、晶體結構描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、宏觀性質間的聯(lián)系。第二部分則主要圍繞實際晶體中各種雜志與缺陷態(tài)對晶體性能的影響撰寫。第二部分擬分為四章撰寫,第六至八章分別重點介紹晶體中三個維度的缺陷類型,包括點缺陷、線缺陷和面缺陷。最后,第九章介紹了多種晶體缺陷分析技術,如X射線衍射法、透射電子顯微技術、離子微探針技術等。
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