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自旋電子學(xué) 讀者對(duì)象:從事物理和自旋電子學(xué)領(lǐng)域?qū)W習(xí)和研究的大學(xué)本科高年級(jí)學(xué)生、研究生、教師、工程師和相關(guān)的科研教學(xué)工作者
《現(xiàn)代物理基礎(chǔ)叢書:自旋電子學(xué)》由十余位國(guó)內(nèi)對(duì)自旋電子學(xué)前沿有研究經(jīng)驗(yàn)的著名學(xué)者撰寫,共10章.較深入地論述了自旋電子學(xué)的主要內(nèi)容、形成與展望,兼顧理論、實(shí)驗(yàn)和應(yīng)用.包括,多層膜與顆粒體系的磁性和巨磁電阻;磁性隧道結(jié),特別是最新發(fā)展的MgO單晶隧道結(jié)的結(jié)構(gòu)、理論和應(yīng)用;龐磁電阻材料的理論、實(shí)驗(yàn)與應(yīng)用;稀磁半導(dǎo)體的磁性、磁輸運(yùn)等以及相關(guān)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和自旋注入等研究;磁電阻理論,包括鐵磁金屬的散射理論、界面效應(yīng)和介觀體系中的磁電電路理論;鐵磁/反鐵磁界面的交換偏置在器件中的作用和基本性能,主要的實(shí)驗(yàn)研究和理論模型;自旋動(dòng)量矩轉(zhuǎn)移效應(yīng)、電流引起磁化的原理和在自旋閥、隧道結(jié)、鐵磁體-量子點(diǎn)耦合等系統(tǒng)中的研究,自旋動(dòng)量矩轉(zhuǎn)移引起的磁疇轉(zhuǎn)動(dòng)、疇壁位移、自旋波激發(fā)、自旋泵浦、自旋流等的原理和應(yīng)用,電流引起磁化與傳統(tǒng)的磁場(chǎng)引起磁化的比較;自旋電子學(xué)的應(yīng)用及代表性的器件,包括傳感器、讀出頭、磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器以及自旋晶體管等。
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《現(xiàn)代物理基礎(chǔ)叢書:自旋電子學(xué)》適用于從事物理和自旋電子學(xué)領(lǐng)域?qū)W習(xí)和研究的大學(xué)本科高年級(jí)學(xué)生、研究生、教師、工程師和相關(guān)的科研教學(xué)工作者。
1 本書是我社重點(diǎn)叢書、十一五國(guó)家重點(diǎn)圖書出版規(guī)劃項(xiàng)目《現(xiàn)代物理基礎(chǔ)叢書》中的一本。 2 本書由南京大學(xué)翟宏如教授負(fù)責(zé)編撰,得到國(guó)內(nèi)物理學(xué)界在自旋電子學(xué)前沿工作的科學(xué)家參與編寫和大力支持,是這一重要科技領(lǐng)域國(guó)內(nèi)的一部高水平的專著。
翟宏如,南京大學(xué)教授、博導(dǎo)。1955年參與在國(guó)內(nèi)大學(xué)建立磁學(xué)專業(yè).講授鐵磁學(xué)和固體磁性50年.曾在國(guó)內(nèi)和8個(gè)國(guó)外大學(xué)或研究所講授固體磁性等講座或建立科研合作.在磁學(xué)和自旋電子學(xué)多個(gè)領(lǐng)域開展研究,發(fā)表論文近400篇.參與寫作2本專著.共獲獎(jiǎng)9個(gè)。
目錄
序 第1章 自旋電子學(xué)的形成與發(fā)展 翟宏如(1) 1.1 兩個(gè)歷史性突破(1) 1.2 各種磁電阻和巨大磁電阻(2) 1.2.1 各向異性磁電阻(2) 1.2.2 正常磁電阻(3) 1.2.3 巨磁電阻(3) 1.2.4 隧道結(jié)磁電阻(5) 1.2.5 龐磁電阻(5) 1.3 巨磁電阻的基本原理和發(fā)現(xiàn)的背景(5) 1.3.1 鐵磁金屬的導(dǎo)電和自旋相關(guān)導(dǎo)電的基本原理(5) 1.3.2 多層膜中的層間反鐵磁交換耦合與巨磁電阻的發(fā)現(xiàn)(10) 1.3.3 發(fā)現(xiàn)巨磁電阻的物質(zhì)基礎(chǔ)是納米技術(shù)的發(fā)展(11) 1.4 20 多年來自旋電子學(xué)的發(fā)展及成就(11) 1.4.1 振蕩型的層間交換耦合(11) 1.4.2 巨磁電阻走向應(yīng)用的關(guān)鍵, 濺射工藝的采用和自旋閥(14) 1.4.3 半金屬引人關(guān)注(16) 1.4.4 磁性隧道結(jié)不斷取得驚人的進(jìn)展(17) 1.4.5 CMR材料形成一大類新材料和物理的研究領(lǐng)域(19) 1.4.6 半導(dǎo)體自旋電子學(xué)的發(fā)展(20) 1.4.7 探索中的自旋邏輯元件和自旋計(jì)算(21) 1.5 自旋動(dòng)量矩轉(zhuǎn)移——一個(gè)新的歷史性突破(22) 1.6 自旋電子學(xué)的應(yīng)用與開發(fā)(24) 1.7 結(jié)束語(25) 參考文獻(xiàn)(26) 第2章 顆粒體系中的磁電阻效應(yīng) 都有為(34) 2.1 顆粒體系中的靜磁特性(34) 2.1.1 單疇臨界尺寸(34) 2.1.2 超順磁性(36) 2.2 顆粒體系中的輸運(yùn)特性(39) 2.3 金屬/金屬型顆粒膜的巨磁電阻效應(yīng)(43) 2.4 間斷膜的巨磁電阻效應(yīng)(52) 2.5 金屬/絕緣體型顆粒膜的磁電阻效應(yīng)(55) 2.6 納米顆粒固體的磁電阻效應(yīng)(62) 2.6.1 熔淬薄帶的磁電阻效應(yīng)(63) 2.6.2 機(jī)械合金化制備的納米固體的磁電阻效應(yīng)(68) 2.6.3 納米微晶材料的磁電阻效應(yīng)(69) 2.7 有機(jī)介質(zhì)中顆粒體系的磁輸運(yùn)(72) 2.8 結(jié)束語(74) 參考文獻(xiàn)(75) 第3章 磁性隧道結(jié)及其隧穿磁電阻效應(yīng)和器件的應(yīng)用 韓秀峰(82) 3.1 磁性隧道結(jié)的結(jié)構(gòu)原理和發(fā)展簡(jiǎn)介(82) 3.2 微米和納米尺度磁性隧道結(jié)的微制備和加工(86) 3.2.1 磁性隧道結(jié)多層膜的沉積和生長(zhǎng)(87) 3.2.2 掩膜法制備磁性隧道結(jié)(89) 3.2.3 深紫外曝光法制備磁性隧道結(jié)(90) 3.2.4 電子束曝光制備納米磁性隧道結(jié)(92) 3.2.5 聚焦離子束刻蝕法制備納米磁性隧道結(jié)(94) 3.2.6 磁性隧道結(jié)勢(shì)壘層的氧化和熱處理工藝(95) 3.3 磁性隧道結(jié)的電極和勢(shì)壘等常用材料(98) 3.3.1 具有高自旋極化率的鐵磁單質(zhì)金屬及其合金材料(98) 3.3.2 具有高自旋極化率的半金屬電極材料(99) 3.3.3 具有垂直各向異性的金屬磁電極材料(100) 3.3.4 稀磁半導(dǎo)體電極材料(100) 3.3.5 磁隧道結(jié)的勢(shì)壘材料(103) 3.3.6 磁性隧道結(jié)中的幾種有代表性的反鐵磁釘扎材料(109) 3.4 磁性隧道結(jié)的種類(109) 3.4.1 三明治結(jié)構(gòu)磁性隧道結(jié)(109) 3.4.2 自旋閥式釘扎型磁性隧道結(jié)(110) 3.4.3 雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)(111) 3.4.4 半金屬磁性隧道結(jié)(112) 3.4.5 垂直各向異性磁性隧道結(jié)(115) 3.4.6 稀磁半導(dǎo)體復(fù)合型磁性隧道結(jié)(117) 3.4.7 超導(dǎo)復(fù)合型磁性隧道結(jié)(123) 3.4.8 顆粒膜復(fù)合型磁性隧道結(jié)(124) 3.4.9 有機(jī)復(fù)合型磁性隧道結(jié)(130) 3.4.10 多鐵性復(fù)合磁性隧道結(jié)(137) 3.4.11 平面型自旋閥結(jié)構(gòu)(140) 3.5 磁性隧道結(jié)中的量子效應(yīng)及其磁電性質(zhì)(142) 3.5.1 磁性隧道結(jié)的磁電阻對(duì)溫度和偏壓依賴關(guān)系(142) 3.5.2 磁性隧道結(jié)中的非彈性隧道譜(147) 3.5.3 自旋極化電子的磁激子、聲子及雜質(zhì)輔助隧穿(152) 3.5.4 磁性隧道結(jié)Co(001)/Cu(001)/Al-O/NiFe 中的量子阱效應(yīng)(161) 3.5.5 磁性隧道結(jié)的反;魻栃(yīng)(163) 3.5.6 雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的磁電阻振蕩效應(yīng)(165) 3.5.7 雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的順序隧穿模型(172) 3.5.8 雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的自旋散射效應(yīng)和自旋翻轉(zhuǎn)長(zhǎng)度(174) 3.5.9 雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的自旋相關(guān)庫(kù)侖阻塞磁電阻效應(yīng)(180) 3.5.10 非磁性電極隧道結(jié)中的自旋相關(guān)庫(kù)侖阻塞磁電阻效應(yīng)(185) 3.6 單晶磁性隧道結(jié)的第一性原理計(jì)算和研究方法(191) 3.6.1 Layer Korringa-Kohn-Rostoker 第一性原理計(jì)算方法(192) 3.6.2 單晶磁性隧道結(jié)Fe/MgO/Fe的隧穿磁電阻效應(yīng)(195) 3.6.3 單晶磁性隧道結(jié)Fe/FeO/MgO/Fe的隧穿磁電阻效應(yīng)(198) 3.6.4 單晶磁性隧道結(jié)Fe/Mg/MgO/Fe和Fe/Mg/MgO/Mg/Fe的隧穿磁電阻效應(yīng)(198) 3.6.5 單晶磁性隧道結(jié)Fe/MgO/(Au, Ag)/Fe 中的量子阱效應(yīng)(202) 3.6.6 單晶雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)Fe/MgO/Fe/MgO/Fe 的量子阱效應(yīng)(204) 3.6.7 單晶磁性隧道結(jié)Co/MgO/Co 的隧穿磁電阻效應(yīng)(207) 3.6.8 單晶磁性隧道結(jié)Fe/Co/MgO/Co/Fe的高隧穿磁電阻效應(yīng)(208) 3.6.9 單晶磁性隧道結(jié)CoFe/MgO/CoFe的能帶結(jié)構(gòu)及磁電阻特性(209) 3.6.10 單晶磁性隧道結(jié)Fe/MgO/Cr/Fe的振蕩隧穿磁電阻效應(yīng)(210) 3.6.11 磁性隧道結(jié)CoFeB/MgO(001)/CoFeB的晶體結(jié)構(gòu)和磁電阻效應(yīng)(215) 3.6.12 磁性隧道結(jié)新勢(shì)壘MgAl2O4、ZnAl2O4、SiMg2O4、SiZn2O4等材料的探索(217) 3.7 有機(jī)復(fù)合磁性隧道結(jié)的第一性原理計(jì)算方法簡(jiǎn)介(220) 3.7.1 有機(jī)復(fù)合磁性隧道結(jié)實(shí)驗(yàn)及理論背景(220) 3.7.2 第一性原理與非平衡格林函數(shù)(225) 3.7.3 納米分子器件的自旋相關(guān)輸運(yùn)問題(231) 3.7.4 鐵磁/有機(jī)LB膜勢(shì)壘/鐵磁-復(fù)合型磁性隧道結(jié)的計(jì)算研究(233) 3.7.5 NaCl單晶勢(shì)壘磁性隧道結(jié)的自旋相關(guān)輸運(yùn)問題(236) 3.8 磁性隧道結(jié)中的自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)及其應(yīng)用(239) 3.8.1 磁性隧道結(jié)中的自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)(239) 3.8.2 納米環(huán)狀磁性隧道結(jié)中的自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)(245) 3.8.3 納米橢圓環(huán)狀磁性隧道結(jié)中的自旋轉(zhuǎn)移力矩效應(yīng)(257) 3.8.4 納米環(huán)狀磁性隧道結(jié)在納米振蕩器中的應(yīng)用(259) 3.8.5 納米柱狀磁性隧道結(jié)在納米振蕩器中的應(yīng)用(260) 3.9 磁性隧道結(jié)在原理型和實(shí)際器件應(yīng)用上的典型范例(262) 3.9.1 磁性隧道結(jié)在計(jì)算機(jī)磁讀頭方面的應(yīng)用(263) 3.9.2 磁性隧道結(jié)在磁敏傳感器方面的應(yīng)用(265) 3.9.3 磁性隧道結(jié)在磁隨機(jī)存儲(chǔ)器方面的應(yīng)用(270) 3.9.4 磁性隧道結(jié)在自旋晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管方面的應(yīng)用(277) 3.9.5 磁性隧道結(jié)在磁邏輯器件方面的應(yīng)用(281) 3.9.6 磁性隧道結(jié)在憶阻器方面的應(yīng)用(284) 3.10 磁性隧道結(jié)的研究展望(286) 第3章 附錄磁性隧道結(jié)的發(fā)展歷史及其有代表性的優(yōu)化結(jié)構(gòu)(292) 參考文獻(xiàn)(299) 第4章 龐磁電阻材料 劉俊明 王克鋒(327) 4.1 錳氧化物的結(jié)構(gòu)及其龐磁電阻效應(yīng)(328) 4.1.1 錳氧化物的晶格和電子結(jié)構(gòu)(328) 4.1.2 龐磁電阻效應(yīng)和組分調(diào)節(jié)(334) 4.1.3 層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)錳氧化物的性質(zhì)及其磁電阻效應(yīng)(341) 4.1.4 其他龐磁電阻材料(345) 4.2 鈣鈦礦錳氧化物的電荷/軌道有序相(345) 4.2.1 錳氧化物的電荷和軌道有序態(tài)(346) 4.2.2 錳氧化物的電荷和軌道有序態(tài)的融化(350) 4.3 鈣鈦礦錳氧化物的輸運(yùn)性質(zhì)(351) 4.3.1 高溫輸運(yùn)性質(zhì)——極化子輸運(yùn)(352) 4.3.2 低溫輸運(yùn)性質(zhì)——本征輸運(yùn)(354) 4.4 龐磁電阻效應(yīng)的機(jī)制——相分離圖像(355) 4.4.1 早期的理論模型(355) 4.4.2 錳氧化物的理論模型——模型和參數(shù)(356) 4.4.3 錳氧化物的理論模型——單軌道模型、雙軌道模型和相分離(357) 4.4.4 錳氧化物不均勻性的試驗(yàn)證據(jù)——理論同試驗(yàn)的比較(360) 4.4.5 相分離圖像下輸運(yùn)性質(zhì)和龐磁電阻效應(yīng)(362) 4.5 錳氧化物的低場(chǎng)磁電阻效應(yīng)(367) 4.5.1 錳氧化物的低場(chǎng)磁電阻效應(yīng)及其理論模型(367) 4.5.2 低場(chǎng)磁電阻效應(yīng)的增強(qiáng)(369) 4.6 錳氧化物在自旋電子學(xué)中的應(yīng)用(373) 4.6.1 基于錳氧化物的磁隧道結(jié)(373) 4.6.2 基于錳氧化物的電場(chǎng)效應(yīng)器件(377) 4.6.3 高溫超導(dǎo)銅氧化物/錳氧化物夾心結(jié)構(gòu)和自旋極化載流子注入(383) 4.7 龐磁電阻材料目前存在的問題和展望(387) 參考文獻(xiàn)(389) 第5章 稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展 趙建華 鄧加軍 鄭厚植(394) 5.1 引言(394) 5.2(Ga,Mn)As 薄膜制備及其結(jié)構(gòu)特征(397) 5.3(Ga,Mn)As 磁性質(zhì)(401) 5.4(Ga,Mn)As 磁輸運(yùn)性質(zhì)(405) 5.5(Ga,Mn)As 磁光性質(zhì)(410) 5.5.1 磁圓偏振光二色性譜(MCD 譜)(411) 5.5.2 法拉第旋轉(zhuǎn)(413) 5.5.3 拉曼散射譜(414) 5.5.4 鐵磁共振譜(416) 5.6 提高(Ga,Mn)As 居里溫度的方法(417) 5.6.1 生長(zhǎng)后低溫退火熱處理(418) 5.6.2 共摻雜(421) 5.7 空穴載流子導(dǎo)致鐵磁性(424) 5.8(Ga,Mn)As的異質(zhì)結(jié)構(gòu)(429) 5.8.1(Ga,Mn)As 和GaAs的帶階(429) 5.8.2(Ga,Mn)As/GaAs多層膜結(jié)構(gòu)(430) 5.8.3(Ga,Mn)As基三層膜結(jié)構(gòu)的自旋相關(guān)散射、層間耦合和隧穿磁阻(431) 5.8.4(Ga,Mn)As自旋共振隧穿二極管(433) 5.9(Ga,Mn)As鐵磁性的電場(chǎng)控制(433) 5.10 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的自旋注入(438) 5.10.1(Ga,Mn)As等稀磁半導(dǎo)體向半導(dǎo)體的自旋注入(438) 5.10.2 鐵磁金屬向半導(dǎo)體中的自旋注入(441) 5.11 其他稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展(442) 5.11.1 GaN基稀磁半導(dǎo)體(442) 5.11.2 Ⅳ族稀磁半導(dǎo)體(443) 5.11.3 Ⅲ-Ⅵ族稀磁半導(dǎo)體(445) 5.11.4 Ⅳ-Ⅵ族稀磁半導(dǎo)體(445) 5.11.5 氧化物稀磁半導(dǎo)體(446) 5.11.6 稀磁半導(dǎo)體量子點(diǎn)(446) 5.12 展望(448) 參考文獻(xiàn)(449) 第6章 磁電阻理論 邢定鈺夏鈳(456) 6.1 引言(456) 6.2 鐵磁金屬電子結(jié)構(gòu)(459) 6.3 雜質(zhì)散射(463) 6.4 單界面(466) 6.4.1 彈道方式(466) 6.4.2 考慮能帶效應(yīng)下的界面電導(dǎo)(468) 6.4.3 自旋積累效應(yīng)(471) 6.4.4 鐵磁體/超導(dǎo)體界面的Andreev反射效應(yīng)(473) 6.5 磁電電路理論(474) 6.6 鐵磁隧道結(jié)的隧穿磁電阻效應(yīng)(478) 6.6.1 非相干的電子隧穿(478) 6.6.2 電子的相干隧穿(481) 6.7 鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的錳氧化物的龐磁電阻效應(yīng)(484) 6.7.1 未摻雜LaMnO3的電子自旋、電荷和軌道(485) 6.7.2 摻雜LaMnO3的雙交換機(jī)理(487) 6.7.3 錳氧化物中的量子相變(489) 參考文獻(xiàn)(492) 第7章 交換偏置 周仕明(498) 7.1 引言(498) 7.2 交換偏置的基本特征(499) 7.3 基本測(cè)量方法(514) 7.4 理論模型(519) 參考文獻(xiàn)(527) 第8章 自旋角動(dòng)量轉(zhuǎn)移效應(yīng) 蘇剛(534) 8.1 引言(534) 8.2 自旋轉(zhuǎn)移效應(yīng)的提出(537) 8.3 幾類磁性多層納米結(jié)構(gòu)中的自旋轉(zhuǎn)移效應(yīng)(542) 8.3.1 磁性隧道結(jié)中的自旋轉(zhuǎn)移效應(yīng)(542) 8.3.2 鐵磁體-Marginal費(fèi)米液體-鐵磁體雙隧道結(jié)中的自旋轉(zhuǎn)移效應(yīng)(546) 8.3.3 鐵磁體-量子點(diǎn)-鐵磁體耦合系統(tǒng)中的自旋轉(zhuǎn)移效應(yīng)(548) 8.4 自旋轉(zhuǎn)移效應(yīng)對(duì)疇壁動(dòng)力學(xué)的影響(552) 8.5 自旋轉(zhuǎn)移效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)進(jìn)展(556) 8.6 結(jié)束語(559) 參考文獻(xiàn)(561) 第9章 自旋動(dòng)量矩轉(zhuǎn)移矩對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)磁化的發(fā)展 翟宏如(564) 9.1 自旋動(dòng)量矩轉(zhuǎn)移,物理和技術(shù)上的歷史性突破(564) 9.2 傳統(tǒng)鐵磁學(xué)中的磁場(chǎng)誘導(dǎo)磁化(566) 9.2.1 磁化的可逆轉(zhuǎn)動(dòng)和不可逆轉(zhuǎn)動(dòng)(Stoner-Wohlfarth 模型)(567) 9.2.2 可逆和不可逆疇壁位移(568) 9.2.3 磁疇轉(zhuǎn)動(dòng)與反磁化的動(dòng)力過程(569) 9.2.4 疇壁位移的動(dòng)態(tài)過程(571) 9.2.5 用交變磁場(chǎng)研究磁矩進(jìn)動(dòng)、鐵磁共振(573) 9.2.6 磁矩進(jìn)動(dòng)的時(shí)間域測(cè)量(577) 9.2.7 磁場(chǎng)誘導(dǎo)磁化過程小結(jié)(578) 9.3 電流的自旋轉(zhuǎn)移力矩(STT) 誘導(dǎo)磁化的主要進(jìn)展和特點(diǎn)(578) 9.3.1 磁場(chǎng)誘導(dǎo)與電流誘導(dǎo)磁化機(jī)理的相同之處與特征(578) 9.3.2 STT導(dǎo)致的磁化轉(zhuǎn)動(dòng)和磁化反轉(zhuǎn)(579) 9.3.3 STT導(dǎo)致的磁矩持續(xù)進(jìn)動(dòng)及自旋波的激發(fā)(581) 9.3.4 STT誘導(dǎo)的疇壁位移(585) 9.3.5 自旋泵浦、自旋流和非局域自旋進(jìn)動(dòng)阻尼(587) 9.4 結(jié)束語(589) 參考文獻(xiàn)(590) 第10章 磁電子學(xué)器件應(yīng)用原理 蔡建旺(596) 10.1 巨磁電阻、隧穿磁電阻傳感器(596) 10.1.1 巨磁電阻傳感器設(shè)計(jì)兩要素(597) 10.1.2 多層膜巨磁電阻傳感器(599) 10.1.3 自旋閥方向傳感器(601) 10.1.4 線性化自旋閥傳感器(603) 10.1.5 自旋閥線性位移傳感器(606) 10.1.6 磁隧道結(jié)隧穿磁電阻傳感器(608) 10.2 巨磁電阻隔離器(609) 10.3 巨磁電阻、隧穿磁電阻硬盤讀出磁頭(612) 10.3.1 巨磁電阻磁頭的自旋閥單元工作的要點(diǎn)(615) 10.3.2 高密度巨磁電阻讀頭發(fā)展對(duì)自旋閥材料的新要求(618) 10.3.3 基于磁隧道結(jié)的新一代讀出磁頭(620) 10.4 磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(622) 10.4.1 各向異性磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器的歷史(624) 10.4.2 巨磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器的新篇章(627) 10.4.3 隧穿磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器的新起點(diǎn)(629) 10.4.4 單配晶體管型隧穿磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器面面觀(632) 10.4.5 觸發(fā)器型隧穿磁電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器的新特點(diǎn)(636) 10.5 自旋轉(zhuǎn)移磁化反轉(zhuǎn)與納米柱微波振蕩器(637) 10.6 自旋晶體管——磁電子器件的新理念(640) 10.6.1 全金屬雙極性自旋晶體管(640) 10.6.2 半導(dǎo)體雙極性自旋晶體管(642) 10.6.3 Datta-Das自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管(643) 10.6.4 熱電子自旋晶體管(644) 10.7 結(jié)束語(647) 參考文獻(xiàn)(648) 彩圖(653)
第1章自旋電子學(xué)的形成與發(fā)展
1.1 兩個(gè)歷史性突破 近20年來,在物理和電子學(xué)方面出現(xiàn)了兩個(gè)歷史性的突破。第一個(gè)是1988年巨磁電阻〔1,2〕的發(fā)現(xiàn)。調(diào)控金屬磁性納米多層膜中磁性層中磁矩的相對(duì)取向可引起其電阻或電流的巨大變化,這個(gè)突破的核心是自旋相關(guān)導(dǎo)電。第一次使電子的兩個(gè)基本秉性——電荷和自旋均成為電子導(dǎo)電可調(diào)控的自由度,而傳統(tǒng)的電子學(xué)和微電子學(xué)僅僅利用了電子具有電荷這一特征。1988年巨磁電阻一經(jīng)發(fā)現(xiàn),其重要的物理內(nèi)涵和應(yīng)用前景立即引起科技界的高度重視,針對(duì)它的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用開發(fā)在世界各國(guó)大量進(jìn)行:巨磁電阻和自旋相關(guān)導(dǎo)電的機(jī)理,磁性納米多層膜中層間交換耦合,比巨磁電阻效應(yīng)更大的隧道磁電阻(TMR)和龐磁電阻(CMR),鐵磁/超導(dǎo)和鐵磁/半導(dǎo)體間的自旋電流注入,居里溫度達(dá)到室溫的磁性半導(dǎo)體等新理論、新現(xiàn)象和新材料在幾年之內(nèi)不斷涌現(xiàn)。1995~1996年巨磁電阻傳感器和硬盤讀出頭進(jìn)入了市場(chǎng),約10年以后隧道磁電阻器件也進(jìn)入市場(chǎng),成為基礎(chǔ)研究的重大發(fā)現(xiàn)迅速轉(zhuǎn)化為重要產(chǎn)品的典范。很快地,一個(gè)新興學(xué)科——自旋電子學(xué)被人們提出并獲得公認(rèn)。在自旋電子學(xué)的發(fā)展中,出現(xiàn)的第二個(gè)歷史性突破是自旋動(dòng)量矩或力矩的轉(zhuǎn)移(STT)和電流直接引起納米磁體的磁化狀態(tài)變化,它是巨磁電阻的逆效應(yīng)。1996年Slonczewski和Berger首先給出了自旋力矩轉(zhuǎn)移的理論預(yù)言〔5,6〕,并很快地得到了實(shí)驗(yàn)證實(shí)〔7~9〕。自從古代發(fā)現(xiàn)磁鐵礦以來,實(shí)踐和理論均認(rèn)為,只有磁場(chǎng)才能使磁矩改變方向,使鐵磁體改變其磁化。電流能直接引起磁化,無疑是幾千年來物理上的另一個(gè)歷史性的突破。另外,在微電子學(xué)中有一個(gè)長(zhǎng)期的技術(shù)困難,即磁場(chǎng)的植入,產(chǎn)生磁場(chǎng)的器件難以微型化。因此,電流直接引起磁化提出了解決這一難題的嶄新的途徑,這將是技術(shù)上的歷史性突破。自旋動(dòng)量矩轉(zhuǎn)移掀起了自旋電子學(xué)新的研究與開發(fā)的另一個(gè)高潮,物理和應(yīng)用上的發(fā)展層出不窮。電流誘導(dǎo)磁矩轉(zhuǎn)動(dòng)和反轉(zhuǎn),電流誘導(dǎo)磁矩進(jìn)動(dòng)和自旋波激發(fā)〔7~9〕,電流誘導(dǎo)疇壁位移并在磁性半導(dǎo)體中實(shí)現(xiàn)〔10〕,基于STT效應(yīng)的納米微波振蕩器和整流器〔11,12〕,基于電流誘導(dǎo)疇壁位移的新型邏輯元件和高密度存儲(chǔ)器〔13〕 等,新的研究與開發(fā)不斷涌現(xiàn),自旋電子學(xué)在全面形成和發(fā)展。還值得注意的是,100多年來基于磁場(chǎng)誘導(dǎo)磁化的強(qiáng)磁體的磁化理論已經(jīng)相當(dāng)系統(tǒng)而完備,現(xiàn)在正被STT效應(yīng)/電流直接誘導(dǎo)磁化的理論和實(shí)驗(yàn)補(bǔ)充和更新。 2007年10月瑞典皇家科學(xué)院宣布,將該年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)授予在1988年分別獨(dú)立地發(fā)現(xiàn)金屬磁性納米多層膜中巨磁電阻的法國(guó)Fert教授和德國(guó)Grunberg教授。瑞典皇家科學(xué)院在有關(guān)頒發(fā)2007年諾貝爾獎(jiǎng)的材料中有如下的一些敘述:GMR效應(yīng)是一個(gè)很好的例子,它展示了一個(gè)并未預(yù)料到的基礎(chǔ)科學(xué)的新發(fā)現(xiàn)是如何很快地帶來新的技術(shù)和商業(yè)產(chǎn)品的。GMR的發(fā)現(xiàn)為一個(gè)新興科學(xué)——自旋電子學(xué)打開大門。發(fā)現(xiàn)GMR的基本前提是正在發(fā)展的納米技術(shù),而自旋電子學(xué)又反過來成為納米技術(shù)新應(yīng)用發(fā)展的動(dòng)力。在此領(lǐng)域,令人激動(dòng)的科學(xué)與技術(shù)上的要求互為因果,大大地加強(qiáng)了納米技術(shù)的發(fā)展。因此,這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)所導(dǎo)致的技術(shù)可以視為前景廣闊的納米技術(shù)領(lǐng)域中最早實(shí)現(xiàn)的各種應(yīng)用的一種。本章將圍繞兩個(gè)歷史性的突破,介紹什么是磁電阻和巨磁電阻,發(fā)現(xiàn)巨磁電阻的背景及其原理、自旋電子學(xué)的形成、自旋力矩轉(zhuǎn)移的原理和發(fā)展?fàn)顩r和對(duì)自旋電子學(xué)的展望。 1.2各種磁電阻和巨大磁電阻 磁電阻是指磁場(chǎng)使導(dǎo)體的電阻發(fā)生變化的現(xiàn)象。根據(jù)其特點(diǎn)和來源,主要有各向異性磁電阻、正常磁電阻和近20多年發(fā)現(xiàn)的巨大磁電阻,后者包括巨磁電阻、隧道結(jié)磁電阻和龐磁電阻等。 1.2.1各向異性磁電阻 各向異性磁電阻(AMR)是最早被發(fā)現(xiàn)的鐵磁金屬中的磁電阻。因?yàn)樵谳^低的磁場(chǎng)下AMR可有百分之幾的數(shù)值,易于觀察。1857年Thomson(Kelvin勛爵)發(fā)現(xiàn)了鐵和鎳的磁電阻〔15〕,他指出:“鐵在磁力作用下,磁化方向的導(dǎo)電電阻升高,而在垂直方向的電阻降低!惫史Q之為各向異性磁電阻。磁電阻的相對(duì)比值MR可表示為MR=ΔR/R=(RH。R0)/R0。RH和R0分別為磁場(chǎng)作用下和磁場(chǎng)為零時(shí)的電阻。通常,沿磁場(chǎng)方向的磁電阻比為正,而垂直于磁場(chǎng)方向的磁電阻比為負(fù),也有少數(shù)材料有相反的表現(xiàn)。AMR來源于鐵磁體磁疇中由于軌道自旋耦合效應(yīng)導(dǎo)致的電阻率的各向異性〔16〕,磁疇的電阻率依賴于電流方向與磁疇中磁化方向的夾角。鐵磁體的電阻率為所有磁疇電阻率的平均值。零場(chǎng)、退磁狀態(tài)下和磁場(chǎng)作用下M=0。時(shí),磁疇的分布不同,使其磁電阻呈現(xiàn)上述各向異性。在磁化未飽和前,磁電阻的絕對(duì)值隨磁場(chǎng)增加而增大,當(dāng)磁化飽和后,磁電阻也達(dá)到飽和。鐵磁體的磁電阻飽和值為1%~5%。圖1-1為鎳的磁電阻曲線,其趨近飽和的磁場(chǎng)為2~4Oe(1Oe=(1000/4π)A/m)。軟磁合金(如Ni-Fe合金)的飽和磁場(chǎng)更低,因而具有對(duì)弱磁場(chǎng)的傳感效應(yīng)。然而,技術(shù)應(yīng)用以發(fā)展的需要為前提,AMR被發(fā)現(xiàn)100多年來一直只作為一個(gè)物理性能來研究,而未獲應(yīng)用。直至20世紀(jì)70年代才進(jìn)入傳感器市場(chǎng),用于機(jī)械運(yùn)動(dòng)的 圖1-1Ni的磁電阻與磁場(chǎng)的關(guān)系 1.2.2正常磁電阻 非鐵磁金屬和半導(dǎo)體也有磁電阻性能,一般非常微弱,需要靈敏的儀器才能檢測(cè)到,因此在實(shí)驗(yàn)上發(fā)現(xiàn)較遲。它來源于磁場(chǎng)使運(yùn)動(dòng)的傳導(dǎo)電子發(fā)生回旋運(yùn)動(dòng)。磁場(chǎng)總是使電阻增加,稱為正常磁電阻(OMR),其各個(gè)方向的磁電阻均大于0,且常MR⊥ 〉MR//,如Cu的OMR很小。當(dāng)磁場(chǎng)高達(dá)300kOe時(shí),其MR比值也可達(dá)約40%。OMR約正比于磁場(chǎng)H的平方,故當(dāng)H為10Oe時(shí),其MR~10。8%,十分微弱。實(shí)際上,鐵磁金屬除有AMR外,也有非常微弱的OMR。由于特殊的能帶結(jié)構(gòu),Bi有相當(dāng)大的OMR。單晶Bi薄膜在5K和室溫下,磁場(chǎng)H=50kOe時(shí),MR分別達(dá)3。8×105%和250%〔17〕。半導(dǎo)體InSb-NiSb共晶合金有較高的OMR,磁場(chǎng)H=3000Oe時(shí),其MR達(dá)200%,但低場(chǎng)下數(shù)值較低。20世紀(jì)60~70年代半導(dǎo)體OMR器件進(jìn)入傳感器市場(chǎng),后來出現(xiàn)AMR傳感器與之競(jìng)爭(zhēng)。 1.2.3巨磁電阻 1988年,法國(guó)Fert教授和德國(guó)Grunberg教授分別獨(dú)立地發(fā)現(xiàn)了Fe/Cr納米多層膜中的巨磁電阻(GMR)〔1,2〕。自從AMR讀出頭獲得重要應(yīng)用后,人們迫切地希望尋求提高磁電阻的途徑。但從19世紀(jì)開爾文發(fā)現(xiàn)磁電阻以來,MR值沒有明顯的提高。人們?cè)詾榇烹娮鑲鞲衅餍阅艿拇蠓忍岣呤遣淮罂赡艿摹?9〕,因此,GMR的發(fā)現(xiàn)是物理學(xué)中和技術(shù)應(yīng)用上的突破。圖1-2給出了Fert小組發(fā)表的在低溫下Fe/Cr納米多層膜的磁電阻曲線,層數(shù)為30~60個(gè)雙層,電流與膜面平行,稱為CIP(currentinplane)結(jié)構(gòu),其低溫下的MR的飽和值接近于50%〔1〕。在該文中將此效應(yīng)稱為GMR,并正確地用自旋相關(guān)散射的原理給予解釋。圖1-3為Grunberg小組發(fā)表的Fe12nm/Cr1nm/Fe12nm三層膜在室溫下的GMR曲線〔2〕,其飽和MR值約1。5%,其數(shù)值遠(yuǎn)小于前者,但后者為室溫下測(cè)量且只有三層膜。圖1-3中還給出了25nm厚的單層Fe膜的AMR曲線,其飽和值僅為。0。13%。巨磁電阻有三個(gè)特點(diǎn):其一,飽和MR值可達(dá)很大的數(shù)值;其二,多數(shù)情況MR常為負(fù)值,磁場(chǎng)使電阻降低;其三,飽和MR值與磁場(chǎng)的方向無關(guān),各向同性。為了能明顯地表示出GMR的大小,巨磁電阻比的表達(dá)式常用MR=ΔR/R=(RH。 R0)/RH表示。以后發(fā)現(xiàn)的更為巨大的磁性隧道結(jié)磁電阻和氧化物中的龐磁電阻也有上述類似的特點(diǎn)。然而從圖1-2可見 ,磁電阻曲線的飽和磁場(chǎng)很高,若用它做磁場(chǎng)傳感器,磁場(chǎng)靈敏度S=MR/H并不高。 在鐵磁/非鐵磁金屬多層膜的巨磁電阻的發(fā)現(xiàn)引起對(duì)多層膜極大的研究熱潮的同時(shí),人們想到,由鐵磁與非鐵磁金屬組成的顆粒合金是否有巨磁電阻?果然在Fe、Co、Ni及其合金的納米顆粒分散在Cu、Ag、Au等基質(zhì)中形成的顆粒合金系中也觀察到GMR效應(yīng)。在退磁狀態(tài)下由于磁性顆粒的Ms為混亂分布,具有較高的電阻。磁場(chǎng)使其飽和磁化時(shí),電阻下降,有與多層膜相似的負(fù)值GMR〔20〕。雖然顆粒合金易于制造,但因飽和場(chǎng)較高,未獲得重要應(yīng)用。實(shí)際上,圖1-2和圖1-3所描述的磁電阻曲線的飽和磁場(chǎng)高,也都沒有獲得應(yīng)用。獲得應(yīng)用的是后面將要介紹的低飽和場(chǎng)的自旋閥結(jié)構(gòu)。自旋閥可以在很低的磁場(chǎng)下獲得約為10的MR比值,因此在20世紀(jì)90年代取代了AMR器件,作為傳感器和計(jì)算機(jī)硬盤讀出頭進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。 圖1-2Fe/Cr多層膜的MR-H曲線 1.2.4隧道結(jié)磁電阻 磁性隧道結(jié)是由金屬鐵磁體和絕緣體交替組成的納米多層結(jié)構(gòu)。有效的結(jié)構(gòu)常為三層,即鐵磁金屬/絕緣層/鐵磁金屬(FM/I/FM)。電流垂直于膜面,成為一種CPP結(jié)構(gòu)。由于電流跨過絕緣層,因此屬于高內(nèi)阻器件。絕緣層I的厚度為一個(gè)納米的量級(jí),電子的波動(dòng)性使電子發(fā)生隧穿效應(yīng)而導(dǎo)電。通常,當(dāng)兩鐵磁層的磁化強(qiáng)度為反平行排列,即退磁狀態(tài)時(shí),MTJ為高電阻狀態(tài);在沿平面的磁場(chǎng)作用下,MTJ被磁化直至飽和,使兩鐵磁層的磁化強(qiáng)度為平行排列時(shí),MTJ的電阻下降直至飽和,其磁電阻稱為隧道結(jié)磁電阻或隧穿磁電阻,簡(jiǎn)稱JMR。在GMR發(fā)現(xiàn)以后其數(shù)值不斷地發(fā)生突破性的提高。2008年用單晶MgO作中間絕緣層的FeCoB/MgO/FeCoB磁性隧道結(jié)在室溫下獲得高達(dá)604%的磁電阻比值〔21〕。 1.2.5龐磁電阻 巨磁電阻發(fā)現(xiàn)以后在塊材中也發(fā)現(xiàn)了巨大的磁電阻,以鈣鈦礦型錳氧化物最有代表性,被稱為龐磁電阻,其MR值竟高達(dá)106%〔22〕。但龐磁電阻需要低溫和強(qiáng)磁場(chǎng),這成為實(shí)用化的難點(diǎn),引起了許多研究,迄今尚未能實(shí)現(xiàn)實(shí)用化。但龐磁電阻材料有豐富的物理問題,這些問題引起人們的重視。 1.3巨磁電阻的基本原理和發(fā)現(xiàn)的背景 1.3.1鐵磁金屬的導(dǎo)電和自旋相關(guān)導(dǎo)電的基本原理 發(fā)現(xiàn)巨磁電阻的背景之一是對(duì)過渡族金屬導(dǎo)電機(jī)制的長(zhǎng)期基礎(chǔ)研究的積累。過渡族金屬導(dǎo)電和電阻的自旋相關(guān)散射的機(jī)制最早是在20世紀(jì)30年代由Mott首先提出的〔23〕。在六七十年代Fert和Campbell一起對(duì)含有雜質(zhì)的鐵磁金屬的電導(dǎo)進(jìn)行了大量而系統(tǒng)的研究,確認(rèn)了鐵磁金屬中自旋相關(guān)散射的兩通道導(dǎo)電機(jī)制〔16,24〕,這正是發(fā)現(xiàn)GMR的物理基礎(chǔ)。 1.鐵磁金屬中的導(dǎo)電 金屬為導(dǎo)體,電阻率低。這是因?yàn)榻饘僦杏凶銐蚨嗟膫鲗?dǎo)電子,它們?cè)诮饘僦锌梢暂^自由地流動(dòng)。金屬中的傳導(dǎo)電子來自金屬原子的價(jià)電子,相鄰原子外層的價(jià)電子軌道的相互重疊使這些電子不局域于單個(gè)原子中,而成為整個(gè)金屬共有的傳導(dǎo)電子。其運(yùn)動(dòng)變?yōu)樵谡麄(gè)金屬中周期性勢(shì)場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),因而導(dǎo)電性好。而在絕緣體中,價(jià)電子分布在局域軌道的能級(jí)上,它們?cè)谠印㈦x子或分子間難以自由流動(dòng)。整個(gè)金屬中的傳導(dǎo)電子分布在幾乎是連續(xù)的能量范圍,該范圍稱為能帶。在能帶中電子態(tài)的分布并不是均勻的。在一個(gè)微小的能量區(qū)間ΔE中,電子態(tài)的數(shù)目Δn隨能量E不同而異,Δn=N(E)ΔE.N(E)稱為能態(tài)密度,每個(gè)能態(tài)中可容納能量相同而自旋為正、負(fù)的兩個(gè)電子。在基態(tài),能帶中的電子分布在所有的低能態(tài)上,電子占據(jù)的最高能態(tài)稱為費(fèi)米(Fermi)面,其能量稱為費(fèi)米能EF。對(duì)金屬導(dǎo)電有貢獻(xiàn)的只是費(fèi)米面附近的電子,在電場(chǎng)作用下它們可以進(jìn)入能量較高的能級(jí),獲得漂移速度,成為電流。而能量比費(fèi)米面低得多的電子,由于附近的狀態(tài)均已被電子占據(jù),沒有空狀態(tài),電子沒有可能從外電場(chǎng)中獲取能量而改變狀態(tài),因此對(duì)導(dǎo)電沒有貢獻(xiàn)。過渡金屬的特殊之處在于原子的3d和4s能級(jí)均擴(kuò)展為金屬中共有的3d和4s能帶,且二者有重疊。原子中的3d和4s電子在金屬的3d和4s能帶中按能量高低填充,重新分布。因而過渡金屬中每個(gè)原子平均的3d和4s電子數(shù)與孤立原子不同。以Fe為例,孤立原子態(tài)的Fe的電子結(jié)構(gòu)為(Ar)+3d6+4s2 ,金屬Fe中的3d和4s電子在能帶中重新分布后,每個(gè)原子平均為3d7.4+4s0.6.過渡金屬的能帶示意于圖1-4中?v坐標(biāo)為電子的能量E,橫坐標(biāo)為能態(tài)密度N(E)。在該圖中自旋向上和向下的電子的能態(tài)密度N(E)分別畫在縱坐標(biāo)兩側(cè),且簡(jiǎn)單地將3d和4s能帶分別示出;鶓B(tài)時(shí)費(fèi)米面以下的能級(jí)全被電子占據(jù)。圖1-4(a)為順磁金屬或鐵磁金屬處于順磁狀態(tài)時(shí)的情況,自旋向下(淺色)和自旋向上(深色)的電子分布狀態(tài)完全相同。圖1-4(b)為居里溫度以下鐵磁金屬的能帶示意圖。該圖示出了在居里溫度以下鐵磁金屬3d能帶的交換劈裂。電子間的交換作用使自旋相互平行的電子比相互反平行的電子的能量低。在居里溫度以下,為了降低總能量,一部分負(fù)自旋電子變?yōu)檎孕,使能帶中正、?fù)自旋的電子數(shù)不等,導(dǎo)致了鐵磁金屬的自發(fā)磁化。 ……
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