前言
第1章　半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)
1.1　半導(dǎo)體與基本晶體結(jié)構(gòu)
1.1.1　半導(dǎo)體
1.1.2　半導(dǎo)體材料的基本特性
1.1.3　半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
1.1.4　晶面及其表示方法
1.1.5　半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介
1.2　半導(dǎo)體的能帶
1.2.1　孤立原子中電子能級(jí)
1.2.2　晶體中電子的能帶
1.2.3　硅晶體能帶的形成過(guò)程
1.2.4　能帶圖的意義及簡(jiǎn)化表示
1.3　本征半導(dǎo)體與本征載流子濃度
1.3.1　本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu) 前言
第1章　半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)
1.1　半導(dǎo)體與基本晶體結(jié)構(gòu)
1.1.1　半導(dǎo)體
1.1.2　半導(dǎo)體材料的基本特性
1.1.3　半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
1.1.4　晶面及其表示方法
1.1.5　半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介
1.2　半導(dǎo)體的能帶
1.2.1　孤立原子中電子能級(jí)
1.2.2　晶體中電子的能帶
1.2.3　硅晶體能帶的形成過(guò)程
1.2.4　能帶圖的意義及簡(jiǎn)化表示
1.3　本征半導(dǎo)體與本征載流子濃度
1.3.1　本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)
1.3.2　熱平衡狀態(tài)與熱平衡載流子濃度
1.3.3　本征載流子濃度
1.3.4　費(fèi)米能級(jí)與載流子濃度的關(guān)系
1.4　雜質(zhì)半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
1.4.1　N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體
1.4.2　施主與受主雜質(zhì)能級(jí)
1.4.3　雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
1.4.4　雜質(zhì)半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)及其與雜質(zhì)濃度的關(guān)系
1.4.5　雜質(zhì)半導(dǎo)體隨溫度的變化
1.5　非平衡載流子
1.5.1　非平衡載流子的產(chǎn)生
1.5.2　非平衡載流子的壽命
1.5.3　非平衡載流子的復(fù)合類型
1.5.4　準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
　1.6　載流子的漂移運(yùn)動(dòng)
1.6.1　載流子的熱運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)
1.6.2　遷移率
1.6.3　半導(dǎo)體樣品中的漂移電流密度
1.6.4　半導(dǎo)體的電阻率
　1.7　載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
　 1.7.1　擴(kuò)散方程的建立
　 1.7.2　根據(jù)相應(yīng)的邊界條件確定△p(x)的特解
　 1.7.3　擴(kuò)散系數(shù)與遷移率的關(guān)系愛因斯坦關(guān)系式
　 1.7.4　擴(kuò)散長(zhǎng)度的物理意義
　 1.7.5　連續(xù)性方程
　本章小結(jié)
　思考題和習(xí)題
第2章　PN結(jié)機(jī)理與特性
　2.1　平衡PN結(jié)的機(jī)理與特性
　 2.1.1　PN結(jié)的制備與雜質(zhì)分布
　 2.1.2　平衡PN結(jié)形成與能帶
　 2.1.3　平衡PN結(jié)的接觸電勢(shì)差
　 2.1.4　平衡PN結(jié)的載流子濃度分布
2.2　正向PN結(jié)機(jī)理與特性
2.2.1　正向偏置與正向注入效應(yīng)
2.2.2　正向PN結(jié)邊界少子濃度和少子濃度分布
2.2.3　正向PN結(jié)電流一電壓方程式
2.2.4　PN結(jié)正向電流的討論’
2.2.5　PN結(jié)的大注入效應(yīng)
2.2.6　正向PN結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流
2.3　反向PN結(jié)的機(jī)理與特性
2.3.1　反向偏置與反向抽取作用
2.3.2　反向PN結(jié)邊界少子濃度和少子濃度分布
2.3.3　反向PN結(jié)電流-電壓方程式
2.3.4　反向PN結(jié)空間電荷區(qū)的產(chǎn)生電流
2.3.5　PN結(jié)表面漏電流
2.3.6　PN結(jié)的伏安特性
2.4　PN結(jié)空間電荷區(qū)的電場(chǎng)、電位分布和寬度
　　……
第3章　雙極型晶體管
第4章　MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
第5章　半導(dǎo)體器件制備技術(shù)
第6章　Ga在SiO2/Si結(jié)構(gòu)下的開管摻雜
參考文獻(xiàn)