第1章  緒論
  1.1 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展過(guò)程
  1.2 半導(dǎo)體集成電路的分類
    1.2.1 按半導(dǎo)體集成電路規(guī)模分類
    1.2.2 按電路功能分類
    1.2.3 按有源器件的類型分類
    1.2.4 按應(yīng)用性質(zhì)分類
  1.3 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展特點(diǎn)
    1.3.1 集成度不斷提高
    1.3.2 器件的特征尺寸不斷縮小
    1.3.3 專業(yè)化分工發(fā)展成熟
    1.3.4 系統(tǒng)集成芯片的發(fā)展
    1.3.5 半導(dǎo)體集成電路帶動(dòng)其他學(xué)科的發(fā)展
  1.4 半導(dǎo)體集成電路可靠性評(píng)估體系
    1.4.1 工藝可靠性評(píng)估
    1.4.2 集成電路的主要失效模式
    1.4.3 集成電路的主要失效機(jī)理
    1.4.4 集成電路可靠性面臨的挑戰(zhàn)
  參考文獻(xiàn)
第2章  半導(dǎo)體集成電路的基本工藝
  2.1 氧化工藝
    2.1.1 SiO2的性質(zhì)
    2.1.2 SiO2的作用
    2.1.3 SiO2膜的制備
    2.1.4 SiO2膜的檢測(cè)
    2.1.5 SiO2膜的主要缺陷
  2.2 化學(xué)氣相沉積法制備薄膜
    2.2.1 化學(xué)氣相沉積概述
    2.2.2 化學(xué)氣相沉積的主要反應(yīng)類型
    2.2.3 CVD制備薄膜
    2.2.4 CVD摻雜
  2.3 擴(kuò)散摻雜工藝
    2.3.1 擴(kuò)散形式
    2.3.2 常用雜質(zhì)的擴(kuò)散方法
    2.3.3 擴(kuò)散分布的分析
  2.4 離子注入工藝
    2.4.1 離子注入技術(shù)概述
    2.4.2 離子注入的濃度分布與退火
  2.5 光刻工藝
    2.5.1 光刻工藝流程
    2.5.2 光刻膠的曝光
    2.5.3 光刻膠的曝光方式
    2.5.4 32nm和22nm的光刻
    2.5.5 光刻工藝產(chǎn)生的微缺陷
  2.6 金屬化工藝
    2.6.1 金屬化概述
    2.6.2 金屬膜的沉積方法
    2.6.3 金屬化工藝
    2.6.4 Al/Si接觸及其改進(jìn)
    2.6.5 阻擋層金屬
    2.6.6 Al膜的電遷移
    2.6.7 金屬硅化物
    2.6.8 金屬鎢
    2.6.9 銅互連工藝
  參考文獻(xiàn)
第3章  缺陷的來(lái)源和控制
  3.1 缺陷的基本概念
    3.1.1 缺陷的分類
    3.1.2 前端和后端引入的缺陷
  3.2 引起缺陷的污染物
    3.2.1 顆粒污染物
    3.2.2 金屬離子
    3.2.3 有機(jī)物沾污
    ……
第4章  半導(dǎo)體集成電路制造工藝
第5章  半導(dǎo)體集成電路的主要失效機(jī)理
第6章  可靠性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析基礎(chǔ)
第7章  半導(dǎo)體集成電路的可靠性評(píng)價(jià)
第8章  可靠性測(cè)試結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
第9章  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的特性
第10章  集成電路的可靠性仿真
第11章  集成電路工藝失效機(jī)理的可靠性評(píng)價(jià)
主要符號(hào)表
英文縮略詞及術(shù)語(yǔ)