第一章 緒論
1.1 模擬電路與芯片級集成系統(tǒng)
1.1.1 CMOS模擬電路緣起
1.1.2 模擬電路在芯片級集成系統(tǒng)中的作用
1.1.3 模擬集成電路與生物學(xué)
1.1.4 芯片學(xué)的未來
1.2 模擬集成電路設(shè)計旨要
1.2.1 模擬電路設(shè)計的科學(xué)性與工匠性
1.2.2 電學(xué)設(shè)計
1.2.3 物理設(shè)計
1.3 有關(guān)問題說明
1.3.1 熱點(diǎn)問題與本書著重點(diǎn)
1.3.2 內(nèi)容安排
1.3.3 字符、符號使用說明

第二章 CMOS集成電路基本器件
2.1 CMOS集成電路物理結(jié)構(gòu)及制作過程
2.1.1 物理結(jié)構(gòu)和基本制作過程
2.1.2 制造工藝分類
2.2 PN結(jié)二極管
2.2.1 基本電流一電壓特性
2.2.2 擊穿特性
2.2.3 PN結(jié)二極管電容
2.2.4 PN結(jié)二極管噪聲
2.2.5 PN結(jié)二極管溫度特性
2.3 MOS晶體管電流一電壓特性
2.3.1 MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2.3.2 MOS晶體管特性的數(shù)學(xué)描述
2.3.3 溝道強(qiáng)反型模型
2.3.4 溝道弱反型模型
2.3.5 深亞微米MOS管特性
2.3.6 等效電路和寄生電容
2.4 MOS晶體管小信號和噪聲及溫度特性
2.4.1 小信號模型
2.4.2 噪聲特性
2.4.3 溫度特性
2.5 CMOS電路中無源器件和寄生器件
2.5.1 電容
2.5.2 電阻
2.5.3 電感
2.5.4 CMOS電路的寄生器件

第三章 基本單元電路
3.1 單管共源放大電路
3.1.1 共源管的作用
3.1.2 單管放大器的偏置
3.1.3 小信號低頻特性
3.1.4 小信號高頻特性
3.1.5 放大器頻率參數(shù)
3.1.6 噪聲特性
3.2 單管阻抗變換電路
3.2.1 共漏管構(gòu)成的源極電壓跟隨器
3.2.2 共柵管構(gòu)成的電流跟隨器
3.3 基本放大單元
3.3.1 直流分析
3.3.2 低頻增益
3.3.3 高頻特性
3.3.4 小信號近似誤差
3.3.5 電流能力和壓擺率
3.3.6 CMOS反相放大級設(shè)計
3.3.7 其他類型反相放大級
3.4 共源共柵級聯(lián)放大單元
3.4.1 共源共柵級聯(lián)電路形式
3.4.2 低阻負(fù)載共源共柵級聯(lián)放大級（寬帶放大級）
3.4.3 恒流源負(fù)載共源共柵級聯(lián)放大級（高增益放大級）
3.4.4 噪聲特性
3.4.5 增益提升技術(shù)
……
第四章 運(yùn)算放大器
第五章 連續(xù)時間濾波器
第六章 開關(guān)電容電路
第七章 過采樣數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器