本書較系統(tǒng)全面地闡述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識和典型半導(dǎo)體器件的工作原理、工作特性。具體內(nèi)容包括：半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)、PN結(jié)機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應(yīng)晶體管、半導(dǎo)體器件制備技術(shù)、Ga在SiO（2）/Si結(jié)構(gòu)下的開管摻雜共6章。每章后附有內(nèi)容小結(jié)、思考題和習(xí)題。書后有附錄，附錄A是本書的主要符號表，附錄B是常用

本書在介紹輻射環(huán)境、空間應(yīng)用器件的選擇策略以及半導(dǎo)體材料和器件的基本輻射效應(yīng)機理的基礎(chǔ)上，介紹IV族半導(dǎo)體材料、CaAs材料、硅雙極器件以及MOS器件的輻射損傷等，并對先進(jìn)半導(dǎo)體材料及器件的應(yīng)用前景進(jìn)行展望。

本書以器件和集成電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設(shè)計、制造和電路應(yīng)用，比較全面地介紹了新近發(fā)展起來的SiGe微電子技術(shù)。

本書的主要內(nèi)容包括：高分辨X射線衍射，光學(xué)性質(zhì)檢測分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學(xué)在半導(dǎo)體中的運用，透射電子顯微學(xué)及其在半導(dǎo)體研究中的應(yīng)用，半導(dǎo)體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導(dǎo)體材料（第三代半導(dǎo)體和低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料）物理表征的實驗技術(shù)和具體應(yīng)用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實驗技術(shù)，如LEED，

本書內(nèi)容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分，介紹學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必須的知識，包括半導(dǎo)體基本知識和pn結(jié)理論；其余各章為第二部分，闡述主要半導(dǎo)體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應(yīng)器件和光器件。每章末均有習(xí)題，書后附有習(xí)題參考解答。本書簡明扼要，討論