"本書基于作者團(tuán)隊(duì)多年的光刻工藝(包括先進(jìn)光刻工藝)研發(fā)經(jīng)驗(yàn),從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā),依次介紹光刻基礎(chǔ)知識(shí),一個(gè)6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中SRAM制造的基本工藝流程,光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型,光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與
本書是作者從事電子制造40年來有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設(shè)計(jì)與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛問題,并通過大量篇幅重點(diǎn)討論了焊點(diǎn)的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個(gè)部分,第一部分為焊點(diǎn)失效機(jī)理與裂紋特征,詳細(xì)介紹焊點(diǎn)的失效模式、失效機(jī)理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為
隨著先進(jìn)的集成電路工藝節(jié)點(diǎn)不斷向納米級(jí)推進(jìn),對(duì)半導(dǎo)體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體納米器件的物理學(xué)原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應(yīng)用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領(lǐng)域在過去幾十年的發(fā)展;前半部分重點(diǎn)介紹電子納米器件,包括準(zhǔn)一維電子氣、強(qiáng)電子相關(guān)的測量、量子點(diǎn)的熱電特性、單電子源、量子電流標(biāo)準(zhǔn)、電子量子光學(xué)、噪聲
本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動(dòng)光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識(shí)、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等;深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景,詳述了浸沒式光刻與極紫外(EUV)光刻。本書(第二版)特別融合了作者在研究、教學(xué)以及世界級(jí)大批量制造方面的獨(dú)特經(jīng)驗(yàn),增加了關(guān)于接
本書對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行了全面綜合的介紹,覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計(jì),且重點(diǎn)介紹了近些年的工藝節(jié)點(diǎn)縮小趨勢和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù),第2部分討論了多種新型的存儲(chǔ)器技術(shù),這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲(chǔ)層級(jí),同時(shí)也介紹了存儲(chǔ)器技術(shù)在機(jī)器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。
本書聚焦硅基集成電路主要器件,即PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性,側(cè)重對(duì)基本原理的討論,借助圖表對(duì)各種效應(yīng)進(jìn)行圖形化直觀展示,并詳細(xì)推導(dǎo)了各種公式。此外,還對(duì)小尺寸場效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實(shí)際業(yè)界對(duì)策進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生
《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分,分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體(完美晶體)的主要性質(zhì)與基本概念撰寫,加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、
本書首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源,針對(duì)超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設(shè)計(jì)、混沌信號(hào)分析、隨機(jī)數(shù)提取等問題進(jìn)行研究,從理論上對(duì)超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究,從實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評(píng)估。
本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理,涵蓋Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等;將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應(yīng)力可靠性測試和壽命測試等,并詳細(xì)介紹了測試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理,同步分析了測試設(shè)備和數(shù)據(jù)
半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科,是信息、新能源(半導(dǎo)體照明、太陽能光伏)等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書共15章,詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù),重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體硅材料(包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料)的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì),闡述了化合物半導(dǎo)體(包括Ⅲ-Ⅴ族