《高性能，低功耗，高可靠三維集成電路設(shè)計》系統(tǒng)地介紹了三維集成電路設(shè)計所涉及的一些問題，包括物理設(shè)計自動化、結(jié)構(gòu)、建模、探索、驗證等，分成五部分，共20章。第一部分為三維集成電路設(shè)計方法及解決方案，主要討論硅通孔布局、斯坦納布線、緩沖器插入、時鐘樹、電源分配網(wǎng)絡(luò)；第二部分為三維集成電路的電可靠性設(shè)計，主要討論硅通孔-硅通孔耦合、電流聚集效應(yīng)、電源完整性、電遷移失效機(jī)制；第三部分為三維集成電路的熱可靠性設(shè)計，主要討論熱驅(qū)動結(jié)構(gòu)布局、門級布局、微流通道散熱問題；第四部分為三維集成電路的機(jī)械可靠性設(shè)計，主要分析全芯片和封裝級機(jī)械應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力對時序的影響、硅通子L界面裂紋；第五部分為三維集成電路設(shè)計的其他方面，主要討論利用單片三維集成實現(xiàn)超高密度邏輯的方法、硅通孔按比例縮小問題，并給出一個三維大規(guī)模并行處理器設(shè)計實例。
《高性能，低功耗，高可靠三維集成電路設(shè)計》可作為高等院校微電子技術(shù)、電路與系統(tǒng)等專業(yè)高年級本科生和研究生的教材或參考書，也可作為從事三維集成電路設(shè)計的相關(guān)技術(shù)人員的參考資料。
第一部分 高性能低功耗三維集成電路設(shè)計
第1章 三維集成電路的硅通孔布局
1．1 引言
1．2 研究現(xiàn)狀
1．3 基礎(chǔ)知識
1．3．1 三維集成電路設(shè)計
1．3．2 最大允許硅通孔數(shù)
1．3．3 最小硅通孔數(shù)
1．3．4 線長和硅通孔數(shù)的折衷
1．4 三維集成電路物理設(shè)計流程
1．4．1 劃分
1．4．2 硅通孔插入和布局
1．4．3 布線
1．5 三維全局布局算法
1．5．1 力驅(qū)動布局簡介
1．5．2 三維布局算法簡介
1．5．3 三維集成電路中的單元布局
1．5．4 硅通孔位置原理中硅通孔的預(yù)布局
1．5．5 三維節(jié)點的線長計算
1．6 硅通孔分配算法
1．6．1 硅通孔分配算法的最佳解
1．6．2 基于MST的硅通孔分配
1．6．3 基于布局的硅通孔分配
1．7 實驗結(jié)果
1．7．1 線長和運行時間比較
1．7．2 金屬層和硅面積比較
1．7．3 線長和硅通孔數(shù)折衷
1．7．4 線長，管芯面積和管芯數(shù)折衷
1．7．5 硅通孔協(xié)同布局與硅通孑L位置對照
1．7．6 硅通孔尺寸影響
1．7．7 時序和功耗比較
1．8 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 三維集成電路斯坦納布線
2．1 引言
2．2 研究現(xiàn)狀
2．3 基礎(chǔ)知識
2．3．1 問題表述
2．3．2 研究方法簡介
2．4 三維斯坦納樹構(gòu)建
2．4．1 算法簡介
2．4．2 計算連接點和硅通孔位置
2．4．3 延時方程優(yōu)化
2．5 采用硅通孔重布局進(jìn)行三維樹精化
2．5．1 算法簡介
2．5．2 可移動范圍
2．5．3 簡化熱分析
2．5．4 非線性規(guī)劃
2．5．5 整數(shù)線性規(guī)劃
2．5．6 快速整數(shù)線性規(guī)劃
2．6 實驗結(jié)果
2．6．1 實驗參數(shù)
2．6．2 樹構(gòu)建結(jié)果
2．6．3 延時和線長分布
2．6．4 硅通孔重布局結(jié)果
2．6．5 硅通孔尺寸和寄生效應(yīng)影響
2．6．6 鍵合類型影響
2．6．7 兩管芯和四管芯疊層比較
2．7 結(jié)論
附錄
參考文獻(xiàn)
第3章 三維集成電路的緩沖器插入
3．1 引言
3．2 問題定義
3．3 研究動機(jī)宴例
……
第二部分 三維集成電路設(shè)計中的電可靠性
第三部分 三維集成電路設(shè)計中的熱可靠性
第四部分 三維集成電路設(shè)計的機(jī)械可靠性
第五部分 其他論題
縮略語
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