前言
第1章緒論
1.1集成電路封裝技術(shù)
1.1.1概念
1.1.2集成電路封裝的技術(shù)領(lǐng)域
1.1.3集成電路封裝的功能
1.1.4集成電路封裝的層次和分類(lèi)
1.2歷史與發(fā)展
1.2.1歷史概述
1.2.2發(fā)展趨勢(shì)
1.3思考題
第2章封裝工藝流程
2.1晶圓切割
2.1.1磨片
2.1.2貼片
2.1.3劃片
2.2芯片貼裝
2.2.1共晶粘貼法
2.2.2導(dǎo)電膠粘貼法
2.2.3玻璃膠粘貼法
2.2.4焊接粘貼法
2.3芯片互連
2.3.1引線(xiàn)鍵合技術(shù)
2.3.2載帶自動(dòng)鍵合技術(shù)
2.4成型技術(shù)
2.5去飛邊毛刺
2.6上焊錫
2.7剪切成型
2.8打碼
2.9裝配
2.10思考題
第3章氣密性封裝與非氣密性封裝
3.1陶瓷封裝
3.1.1氧化鋁陶瓷封裝的材料
3.1.2陶瓷封裝工藝
3.1.3其他陶瓷封裝材料
3.2金屬封裝
3.3玻璃封裝
3.4塑料封裝
3.4.1塑料封裝材料
3.4.2塑料封裝工藝
3.5思考題
第4章典型封裝技術(shù)
4.1雙列直插式封裝（DIP）
4.1.1陶瓷熔封雙列直插式封裝（CDIP）
4.1.2多層陶瓷雙列直插式封裝（WLCDIP）
4.1.3塑料雙列直插式封裝（PDIP）
4.2四邊扁平封裝（QFP）
4.2.1四邊扁平封裝的基本概念和特點(diǎn)
4.2.2四邊扁平封裝的類(lèi)型和結(jié)構(gòu)
4.2.3四邊扁平封裝與其他幾種封裝的比較
4.3球柵陣列封裝（BGA）
4.3.1BGA的基本概念和特點(diǎn)
4.3.2BGA的類(lèi)型和結(jié)構(gòu)
4.3.3BGA的制作及安裝
4.3.4BGA檢測(cè)技術(shù)與質(zhì)量控制
4.3.5BGA基板
4.3.6BGA的封裝設(shè)計(jì)
4.3.7BGA的生產(chǎn)、應(yīng)用及典型實(shí)例
4.4思考題
第5章幾種先進(jìn)封裝技術(shù)
5.1芯片尺寸封裝
5.1.1CSP基板上凸點(diǎn)倒裝芯片與引線(xiàn)鍵合芯片的比較
5.1.2引線(xiàn)架的芯片尺寸封裝
5.1.3柔性板上的芯片尺寸封裝
5.1.4剛性基板芯片尺寸封裝
5.1.5硅片級(jí)芯片尺寸封裝
5.2倒裝芯片技術(shù)
5.2.1倒裝芯片的連接方式
5.2.2倒裝芯片的凸點(diǎn)技術(shù)
5.3多芯片組件封裝與三維封裝技術(shù)
5.3.1多芯片組件封裝
5.3.2多芯片組件封裝的分類(lèi)
5.3.3三維(3D)封裝技術(shù)
5.3.4三維(3D)封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和局限性
5.3.5三維(3D)封裝技術(shù)的前景
5.4思考題
第6章封裝性能的表征
6.1工藝性能
6.1.1螺旋流動(dòng)長(zhǎng)度
6.1.2凝膠時(shí)間
6.1.3流淌和溢料
6.1.4流變性和兼容性
6.1.5聚合速率
6.1.6固化時(shí)間和溫度
6.1.7熱硬化
6.1.8后固化時(shí)間和溫度
6.2濕-熱機(jī)械性能
6.2.1熱膨脹系數(shù)和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度
6.2.2熱導(dǎo)率
6.2.3彎曲強(qiáng)度和模量
6.2.4拉伸強(qiáng)度、彈性與剪切模量及拉伸率
6.2.5黏附強(qiáng)度
6.2.6潮氣含量和擴(kuò)散系數(shù)
6.2.7吸濕膨脹系數(shù)
6.2.8氣體滲透性
6.2.9放氣
6.3電學(xué)性能
6.4化學(xué)性能
6.4.1離子雜質(zhì)（污染等級(jí)）
6.4.2離子擴(kuò)散系數(shù)
6.4.3易燃性和氧指數(shù)
6.5思考題
第7章封裝缺陷與失效
7.1封裝缺陷與失效概述
7.1.1封裝缺陷
7.1.2封裝失效
7.1.3失效機(jī)理分類(lèi)
7.1.4影響因素
7.2封裝缺陷
7.2.1引線(xiàn)變形
7.2.2底座偏移
7.2.3翹曲
7.2.4芯片破裂
7.2.5分層
7.2.6空洞和孔洞
7.2.7不均勻封裝
7.2.8飛邊毛刺
7.2.9外來(lái)顆粒
7.2.10不完全固化
7.3封裝失效
7.3.1水汽破裂
7.3.2脆性破裂
7.3.3韌性破裂
7.3.4疲勞破裂
7.4加速失效的影響因素
7.4.1潮氣
7.4.2溫度
7.4.3污染物和溶劑性環(huán)境
7.4.4殘余應(yīng)力
7.4.5自然環(huán)境應(yīng)力
7.4.6制造和組裝載荷
7.4.7綜合載荷應(yīng)力條件
7.5思考題
第8章缺陷與失效的分析技術(shù)
8.1常見(jiàn)的缺陷與失效分析程序
8.1.1電學(xué)測(cè)試
8.1.2非破壞性評(píng)價(jià)
8.1.3破壞性評(píng)價(jià)
8.2光學(xué)顯微技術(shù)
8.3掃描聲光顯微技術(shù)
8.4X射線(xiàn)顯微技術(shù)
8.5X射線(xiàn)熒光光譜顯微技術(shù)
8.6電子顯微技術(shù)
8.7原子力顯微技術(shù)
8.8紅外顯微技術(shù)
8.9分析技術(shù)的選擇
8.10思考題
第9章質(zhì)量鑒定和保證
9.1鑒定和可靠性評(píng)估的簡(jiǎn)要?dú)v程
9.2鑒定流程概述
9.3虛擬鑒定
9.3.1壽命周期載荷
9.3.2產(chǎn)品特征
9.3.3應(yīng)用要求
9.3.4利用PoF方法進(jìn)行可靠性分析
9.3.5失效模式、機(jī)理及其影響分析
9.4產(chǎn)品鑒定
9.4.1強(qiáng)度極限和高加速壽命試驗(yàn)
9.4.2鑒定要求
9.4.3鑒定試驗(yàn)計(jì)劃
9.4.4模型和驗(yàn)證
9.4.5加速試驗(yàn)
9.4.6可靠性評(píng)估
9.5鑒定加速試驗(yàn)
9.5.1穩(wěn)態(tài)溫度試驗(yàn)
9.5.2溫度循環(huán)試驗(yàn)
9.5.3濕度相關(guān)的試驗(yàn)
9.5.4耐溶劑試驗(yàn)
9.5.5鹽霧試驗(yàn)
9.5.6可燃性和氧指數(shù)試驗(yàn)
9.5.7可焊性試驗(yàn)
9.5.8輻射加固
9.6工業(yè)應(yīng)用
9.7質(zhì)量保證
9.7.1篩選概述
9.7.2應(yīng)力篩選和老化
9.7.3篩選
9.7.4根本原因分析
9.7.5篩選的經(jīng)濟(jì)性
9.7.6統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制
9.8思考題
第10章集成電路封裝的趨勢(shì)和挑戰(zhàn)
10.1微小器件結(jié)構(gòu)與封裝
10.2極高溫和極低溫電子學(xué)
10.2.1高溫環(huán)境
10.2.2低溫環(huán)境
10.3新興技術(shù)
10.3.1微機(jī)電系統(tǒng)
10.3.2生物電子器件、生物傳感器和生物MEMS
10.3.3納米技術(shù)和納米電子器件
10.3.4有機(jī)發(fā)光二極管、光伏和光電子器件
10.4思考題
附錄
附錄A封裝設(shè)備簡(jiǎn)介
附錄B度量衡
附錄C英文簡(jiǎn)稱(chēng)索引
參考文獻(xiàn)