"本書基于作者團隊多年的光刻工藝（包括先進光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機存儲器的電路結(jié)構(gòu)與3個關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標準化與

本書是作者從事電子制造40年來有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設(shè)計與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進的集成電路工藝節(jié)點不斷向納米級推進，對半導(dǎo)體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細介紹了半導(dǎo)體納米器件的物理學(xué)原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應(yīng)用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領(lǐng)域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括準一維電子氣、強電子相關(guān)的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學(xué)、噪聲

本書詳細介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學(xué)以及世界級大批量制造方面的獨特經(jīng)驗，增加了關(guān)于接

本書對半導(dǎo)體存儲器技術(shù)進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術(shù)在機器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。

本書是由高校光電專業(yè)負責(zé)人與光電龍頭企業(yè)的高級工程師、掌握世界最新光電前沿技術(shù)的海歸博士組成的編寫團隊編寫而成，具有前沿技術(shù)與基礎(chǔ)理論并重、理論聯(lián)系實際、圖文并茂、通俗易懂的特色，特別適合于產(chǎn)業(yè)工程師專業(yè)研究和高校師生學(xué)習(xí)使用。全書內(nèi)容體系完整，共包含7章：第1章，散熱基礎(chǔ)理論；第2章，LED散熱分析模型；第3章，LE

在半導(dǎo)體芯片被廣泛關(guān)注的當(dāng)下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導(dǎo)體芯片原理、設(shè)計、制造工藝的學(xué)習(xí)參考書�！稑O簡圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡單明了地介紹了什么是半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細介紹了ISI的開發(fā)與設(shè)計、IS

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應(yīng)進行圖形化直觀展示，并詳細推導(dǎo)了各種公式。此外，還對小尺寸場效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實際業(yè)界對策進行了較為詳細的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對超晶格作為混沌熵源時所涉及的器件設(shè)計、混沌信號分析、隨機數(shù)提取等問題進行研究，從理論上對超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機理進行了研究，從實踐上實現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機數(shù)發(fā)生器設(shè)計及產(chǎn)生真隨機數(shù)的評估。