本書用傳輸理論、熱力學、統(tǒng)計物理學和動力學理論系統(tǒng)地總結和解釋了晶體生長過程，著重討論了熔體生長特別是直拉法生長。結合溫場、溶質分凝、液流效應等問題做了仔細的分析并給出相應的物理解釋。對不同生長系統(tǒng)中的的生長動力學采用統(tǒng)一的觀點加以闡述。本書是一本全面論述晶體生長理論的專著，既可作為高等院校學生和研究有關晶體生長課程的

《HVPE法生長自支撐GaN單晶及其性質研究》結合著者在該領域的研究成果，介紹了獲得高質量自支撐GaN單晶的方法�！禜VPE法生長自支撐GaN單晶及其性質研究》的研究工作主要有以下四個方面：第2章介紹了V／Ⅲ對GaN晶體質量和光電性質的影響，并對其作用機理進行了分析。隨著V／Ⅲ的增加，GaN單晶中的位錯密度降低、殘余應

本書共分為10章，內(nèi)容包括：緒論、晶體生長的基本規(guī)律、晶體的面角恒等及投影、晶體的宏觀對稱、單形和聚形、晶體定向和結晶符號、實際晶體的形態(tài)和規(guī)則連生、晶體結構的幾何理論、晶體化學基礎、晶體結構。

本書主要介紹了晶體生長技術及相關晶體缺陷，結合計算流體力學數(shù)值模擬和實驗研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運、化學反應等方面闡明了晶體生長技術的要點和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書也詳細介紹了分子動力學和第一性原理的研究策略，并應用于晶體缺陷的研究。本書的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的

本書是一本關于晶體生長基本概念和技術的著名著作，書中對晶體生長的理論和實踐進行了系統(tǒng)的全面的敘述，對廣大讀者有重要的參考價值。本書由結晶過程和晶體生長兩大部分組成。第一部分包含平衡、成核和外延、生長機制、雜質、質量和熱輸運、生長外形及其穩(wěn)定性、缺陷的產(chǎn)生和團塊結晶等。第二部分介紹了氣相生長、溶液生長和熔體生長。本書可供

本書是中山大學海洋科學學院系列教材之一，包括18個實驗，介紹結晶學與礦物學的基礎知識。每個實驗內(nèi)容包括實驗目的和要求、實驗知識要點、實驗的主要內(nèi)容及注意事項。本書符合實驗教材常用寫法，理論與實踐結合，適合大學有關專業(yè)作教材使用。

本書是作者在多年的科研和教學基礎上積累而成。運用幾何學的概念和方法系統(tǒng)地分析和推導晶體的對稱性原理及晶體的衍射原理，給讀者以鮮明的立體概念，便于理解、掌握和應用。全書共分為三部分:幾何晶體學基本原理、微觀空間對稱原理和晶體中X射線衍射基本原理。第一、二篇運用一般位置等效點系中的等效點在空間的對稱分布與空間對稱性相一致的

本書分4篇探討晶體生長的原理與技術。第一篇為晶體生長的基本原理，分5章對晶體生長的熱力學原理、動力學原理、界面過程、生長形態(tài)及晶體生長初期的形核相關原理進行論述。第二篇為晶體生長的技術基礎，分3章進行晶體生長過程的涉及傳輸行為(傳質、傳熱、對流)、化學基礎問題(材料的提純與合成問題)以及物理基礎(電、磁、力的作用原理)

這是一本關于華德福教育的經(jīng)典著作。第一版于1958年推出，2001年在美國重印第二版，本書富有新鮮的啟發(fā)與洞見，被視為全球最全面、最系統(tǒng)的華德福教育介紹類書籍之一，盡管寫作時間較為久遠，但現(xiàn)今仍廣被學校和家長所推崇。本書圍繞孩子發(fā)展的三個七年（0～21歲），內(nèi)容包括：身體與意識的關系；自我意識的發(fā)展；兒童成長的重要階段

本書主要介紹了X射線晶體衍射的基本原理，晶體的培養(yǎng)與衍射數(shù)據(jù)的收集，晶體結構解析與精修的基本概念、結果的表達，有關的晶體學數(shù)據(jù)庫和軟件資源，結構解析的實際例子及常用軟件的使用方法等。本書結合作者多年從事晶體結構分析所積累的經(jīng)驗，總結了結構解析過程中常見的問題與解決方法，并提供了**的有關文獻資料。作者對*版進行增刪、修