3D是一種全新的技術(shù)，不僅是因為它的多層結(jié)構(gòu)，還因為它是一種基于新型NAND的存儲單元。在第1章介紹3D FLASH的市場趨勢后，本書的2~8章介紹3D FlASH的工作原理、新技術(shù)以及應(yīng)用架構(gòu)，包括電荷俘獲和浮柵技術(shù)（包括可靠性和可縮小性這兩種性質(zhì)在兩種技術(shù)之間的對比，以及大量不同的材料和垂直架構(gòu)）、3D堆疊NAND、BiCS和P-BICS、3D浮柵技術(shù)、3D VG NAND3D先進架構(gòu)和RRAM交叉點陣列等。第9~12章探討了3D FLASH的系統(tǒng)級先進技術(shù)，包括多級存儲和芯片堆疊等封裝技術(shù)創(chuàng)新；基于低密度奇偶校驗碼的最新商業(yè)解決方案的演化進程；TLC/QLC與若干3D層的組合需要的非對稱代數(shù)碼和非二進制LDPC碼等校正技術(shù)；以及從系統(tǒng)的角度看3D Flash的含義。