定 價(jià):100 元
叢書名:集成電路產(chǎn)業(yè)知識(shí)賦能工程系列叢書
- 作者:佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司
- 出版時(shí)間:2022/7/1
- ISBN:9787121438028
- 出 版 社:電子工業(yè)出版社
- 中圖法分類:TN407
- 頁碼:332
- 紙張:
- 版次:01
- 開本:16開
本書系統(tǒng)地介紹了集成電路測(cè)試所涉及的基礎(chǔ)知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。全書共分為15章。其內(nèi)容包括實(shí)際的導(dǎo)線、電阻、電容、電感元件在測(cè)試電路中的影響,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)V/I源的基本原理和實(shí)際應(yīng)用限制,一些簡(jiǎn)單的模擬和數(shù)字集成電路測(cè)試原理和方法,測(cè)試數(shù)據(jù)分析的常用方法,以及測(cè)試電路相關(guān)的信號(hào)完整性方面的簡(jiǎn)單介紹,并結(jié)合測(cè)試開發(fā)的實(shí)際案例講解了集成電路測(cè)試項(xiàng)目開發(fā)流程。以往這些內(nèi)容分散到不同教材中,缺乏系統(tǒng)性。本書以集成電路測(cè)試為主線,從ATE應(yīng)用角度,結(jié)合編者多年來的研發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),將基礎(chǔ)知識(shí)串聯(lián)起來。尤其從測(cè)試行業(yè)新人培養(yǎng)出發(fā),加入了V/I源的基本原理和實(shí)際應(yīng)用限制的講解,并提供了仿真模型,使讀者能夠快速、全面地了解集成電路測(cè)試所需的各項(xiàng)基礎(chǔ)知識(shí)。本書可作為集成電路測(cè)試工程師的學(xué)習(xí)教材,或者集成電路自動(dòng)測(cè)試設(shè)備應(yīng)用工程師的基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)教材。
2013年起,任職于佛山市聯(lián)動(dòng)科技股份有限公司,從事自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備的研發(fā)管理、測(cè)試驗(yàn)證以及應(yīng)用方案開發(fā)的技術(shù)支持工作,對(duì)自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備本身有深入的研究,同時(shí)有豐富的集成電路測(cè)試工程師的培訓(xùn)經(jīng)驗(yàn),除了對(duì)本公司人員進(jìn)行培訓(xùn)外,還對(duì)國(guó)內(nèi)外的封測(cè)企業(yè)的客戶工程師進(jìn)行過多次培訓(xùn)。
目 錄
第1章 關(guān)于集成電路測(cè)試 1
1.1 集成電路測(cè)試相關(guān)書籍和標(biāo)準(zhǔn)推薦 1
1.2 準(zhǔn)備工作 2
1.3 一些小約定 3
1.4 英文縮寫 3
第2章 從理想電路到實(shí)際電路 7
2.1 實(shí)際的導(dǎo)線 7
2.1.1 開爾文連接 7
2.1.2 屏蔽與驅(qū)動(dòng)保護(hù) 11
2.1.3 磁環(huán)與磁珠 13
2.2 實(shí)際的電阻 13
2.2.1 電阻的作用 13
2.2.2 實(shí)際電阻的分壓電路 14
2.3 實(shí)際的電容 15
2.3.1 電容的參數(shù)以及影響 15
2.3.2 實(shí)際電路中的電容 15
2.3.3 電壓驅(qū)動(dòng)電阻電容(RC)電路的一階系統(tǒng)響應(yīng) 18
2.4 實(shí)際的電感 19
2.4.1 電感的作用 19
2.4.2 實(shí)際電路中的電感 20
2.5 驅(qū)動(dòng)與負(fù)載 20
2.5.1 驅(qū)動(dòng)能力的限制 20
2.5.2 負(fù)載效應(yīng)的影響 22
2.6 繼電器和電子開關(guān) 23
第3章 電源與測(cè)量的基本電路 26
3.1 V/I源的基本結(jié)構(gòu) 26
3.1.1 整體結(jié)構(gòu) 26
3.1.2 電壓輸出模式 27
3.1.3 電流輸出模式 30
3.1.4 波形發(fā)生器模式 32
3.1.5 V/I源的測(cè)量 35
3.2 V/I源的限制 35
3.2.1 輸出穩(wěn)定時(shí)間 35
3.2.2 反饋響應(yīng)時(shí)間 35
3.2.3 高度模型化的V/I源 36
3.3 ATE的測(cè)量電路 39
3.3.1 電壓測(cè)量 39
3.3.2 時(shí)間測(cè)量 40
3.3.3 掃描測(cè)量 40
3.4 數(shù)字測(cè)試源 40
3.4.1 電源供電電路 40
3.4.2 直流參數(shù)測(cè)量電路 41
3.4.3 驅(qū)動(dòng)輸出電路 41
3.4.4 比較輸入電路 42
3.4.5 有源負(fù)載電路 43
第4章 測(cè)試程序設(shè)計(jì)要求 45
4.1 測(cè)試程序的特殊要求 45
4.2 程序設(shè)計(jì)的風(fēng)格 46
4.3 程序設(shè)計(jì)的防誤方法 46
第5章 誤差與校準(zhǔn) 48
5.1 基于誤差的計(jì)算 48
5.1.1 基于已有的元件參數(shù)計(jì)算電路誤差 48
5.1.2 基于規(guī)格允許的誤差選擇元件參數(shù) 49
5.2 線性校準(zhǔn)的原理與方法 49
5.3 非線性校準(zhǔn)與數(shù)據(jù)擬合 53
第6章 模擬信號(hào)調(diào)理基礎(chǔ) 57
6.1 電壓放大與衰減電路 57
6.1.1 電壓放大電路 57
6.1.2 電壓衰減電路 58
6.2 電壓與電流轉(zhuǎn)換電路 58
6.2.1 電流電壓轉(zhuǎn)換 58
6.2.2 電壓電流轉(zhuǎn)換 59
6.2.3 測(cè)試三極管的VBE 60
6.3 比較電路 63
6.3.1 單限比較器 63
6.3.2 窗口比較器 63
6.3.3 滯回比較器 63
6.4 特性提取電路 65
6.4.1 峰值提取 65
6.4.2 濾波電路 66
6.4.3 采樣保持 67
6.4.4 邊沿檢測(cè) 67
6.4.5 脈寬檢測(cè) 68
6.5 信號(hào)修調(diào)電路 70
6.5.1 鉗位限幅 70
6.5.2 電平調(diào)整 70
6.5.3 隔離轉(zhuǎn)換 72
6.5.4 分頻電路 73
6.6 相位補(bǔ)償基礎(chǔ) 73
6.6.1 極點(diǎn)和零點(diǎn) 73
6.6.2 相位補(bǔ)償理論基礎(chǔ) 79
6.6.3 運(yùn)放環(huán)路增益精確測(cè)量的兩種方法 86
6.6.4 相位補(bǔ)償?shù)撵`活運(yùn)用 93
第7章 數(shù)字信號(hào)處理基礎(chǔ) 97
7.1 移動(dòng)平均濾波 97
7.2 卷積與FIR濾波器 100
7.2.1 卷積 100
7.2.2 FIR濾波器 103
7.3 傅里葉變換 115
7.3.1 離散傅里葉變換和窗函數(shù)濾波器的頻譜 115
7.3.2 窗函數(shù)解決頻譜泄漏的應(yīng)用 120
7.3.3 快速傅里葉變換 120
7.3.4 THD和SNR等頻域參數(shù)的計(jì)算 126
7.3.5 FFT計(jì)算的注意事項(xiàng) 130
第8章 測(cè)試方法基礎(chǔ) 133
8.1 開短路(Open-Short)測(cè)試 133
8.2 接觸(Contact)測(cè)試/開爾文(Kelvin)測(cè)試 134
8.3 LDO的測(cè)試 135
8.3.1 參考電壓 136
8.3.2 線性調(diào)整率 137
8.3.3 負(fù)載調(diào)整率 138
8.3.4 輸出電流(Iadj)測(cè)試 138
8.3.5 最小負(fù)載電流 139
8.3.6 紋波抑制比 140
8.3.7 輸出短路電流 141
8.4 運(yùn)算放大器測(cè)試 142
8.4.1 運(yùn)放的測(cè)試電路 142
8.4.2 運(yùn)放VIO參數(shù)的測(cè)試 143
8.4.3 運(yùn)放的CMRR參數(shù)測(cè)試 145
8.4.4 運(yùn)放的輸入偏置電流測(cè)試 148
8.4.5 運(yùn)放的其他參數(shù) 151
8.5 數(shù)字通信測(cè)試 151
8.5.1 數(shù)字芯片的文檔 151
8.5.2 數(shù)字IO口的DC參數(shù) 152
8.5.3 數(shù)字IO口的AC參數(shù) 152
8.5.4 I2C通信的存儲(chǔ)器 153
8.5.5 SPI通信的存儲(chǔ)器 158
第9章 測(cè)試數(shù)據(jù)分析 164
9.1 基本概念 164
9.1.1 測(cè)試結(jié)果(Test Result) 164
9.1.2 接受參照值(Accepted Reference Value) 164
9.1.3 準(zhǔn)確度(Accuracy) 164
9.1.4 正確度(Trueness) 165
9.1.5 偏倚(Bias) 165
9.1.6 精密度(Precision) 165
9.1.7 重復(fù)性(Repeatability) 165
9.1.8 再現(xiàn)性(Reproducibility) 165
9.1.9 常用數(shù)據(jù)分析方法 165
9.2 相關(guān)性驗(yàn)證(CORR) 166
9.3 重復(fù)性與再現(xiàn)性(GRR) 166
9.3.1 不同配置之間的GRR計(jì)算 167
9.3.2 儀器驗(yàn)收的GRR計(jì)算 170
9.4 測(cè)試能力研究(TCS) 174
9.5 多Sites并行測(cè)試的數(shù)據(jù)驗(yàn)證 176
9.6 測(cè)試數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析圖 177
9.7 多Sites并行測(cè)試的效率以及UPH計(jì)算 177
第10章 信號(hào)和電源完整性的簡(jiǎn)介 179
10.1 方波的傅里葉級(jí)數(shù) 179
10.2 使用一階RC電路仿真上升沿時(shí)間與帶寬的關(guān)系 184
10.3 時(shí)域反射計(jì)(TDR)與線長(zhǎng)校準(zhǔn) 185
10.4 測(cè)試電路的地 188
第11章 實(shí)訓(xùn)平臺(tái)介紹 192
11.1 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)功能概述 192
11.1.1 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試的器件類型 192
11.1.2 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)適用的測(cè)試過程 193
11.1.3 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的基礎(chǔ)配置 193
11.2 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)硬件系統(tǒng)組成 194
11.2.1 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的整體結(jié)構(gòu) 194
11.2.2 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的硬件系統(tǒng)框圖 194
11.2.3 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的主要模塊和板卡 195
11.2.4 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的機(jī)架結(jié)構(gòu)組成 204
11.2.5 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的通道資源簡(jiǎn)介 205
11.2.6 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的背板簡(jiǎn)介 207
11.2.7 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)的培訓(xùn)板簡(jiǎn)介 208
11.3 QT-8100測(cè)試系統(tǒng)軟件系統(tǒng)組成 209
第12章 測(cè)試方案開發(fā)簡(jiǎn)介 211
12.1 測(cè)試程序開發(fā)流程 211
12.2 測(cè)試程序的執(zhí)行過程 211
12.3 測(cè)試函數(shù)的完整結(jié)構(gòu) 213
12.4 測(cè)試方案開發(fā)流程 214
第13章 LDO的測(cè)試 216
13.1 Datasheet與Testplan的分析 216
13.1.1 Datasheet里的總體性能描述 216
13.1.2 Datasheet里的電氣特性 217
13.1.3 Testplan里的測(cè)試規(guī)格 218
13.1.4 Testplan里的測(cè)試方法 218
13.2 測(cè)試方案的設(shè)計(jì)與調(diào)試 222
13.2.1 Open-Short測(cè)試 222
13.2.2 線性調(diào)整率 225
13.2.3 負(fù)載調(diào)整率 227
13.2.4 參考電壓 230
13.2.5 調(diào)整腳電流 234
13.2.6 最小負(fù)載電流 236
13.2.7 最大負(fù)載電流 239
13.2.8 電源紋波抑制比 241
第14章 集成運(yùn)算放大器的測(cè)試 246
14.1 集成運(yùn)算放大器的基本特性 246
14.1.1 特征 246
14.1.2 工作模式 246
14.2 Datasheet的分析 247
14.2.1 重要特性 247
14.2.2 引腳定義與封裝 247
14.2.3 功能原理框圖 248
14.2.4 電氣特性 249
14.3 集成運(yùn)算放大器的測(cè)試方法 250
14.3.1 運(yùn)放的VIO(VOS)參數(shù)測(cè)試 250
14.3.2 運(yùn)放的CMRR參數(shù)測(cè)試 250
14.3.3 運(yùn)放的IB(IIB)參數(shù)測(cè)試 250
14.3.4 運(yùn)放的VOH&VOL參數(shù)測(cè)試 251
14.3.5 運(yùn)放的IQ(ICC)參數(shù)測(cè)試 251
14.3.6 運(yùn)放的PSRR參數(shù)測(cè)試 251
14.3.7 運(yùn)放的開環(huán)電壓增益AVO(AVOL)參數(shù)測(cè)試 252
14.3.8 運(yùn)放的壓擺率(Slew Rate,SR)參數(shù)測(cè)試 253
14.4 Test plan的分析 254
14.5 測(cè)試方案的設(shè)計(jì) 255
14.5.1 連續(xù)性(Continuity) 255
14.5.2 靜態(tài)電流IQ 256
14.5.3 輸出高電平VOH,輸出低電平VOL 257
14.5.4 輸入失調(diào)電壓(VOS) 257
14.5.5 輸入偏置電流(IB),輸入失調(diào)電流(IOS) 258
14.5.6 電源抑制比(PSRR) 259
14.5.7 共模抑制比(CMRR) 259
14.5.8 開環(huán)放大倍數(shù)AVOL 259
14.5.9 壓擺率(SR) 260
14.5.10 ATE的資源分配 261
14.6 測(cè)試函數(shù)的編寫 261
14.6.1 測(cè)試工程的新建 261
14.6.2 測(cè)試程序的PIN MAP設(shè)置 262
14.6.3 測(cè)試程序的Datasheet與Bin設(shè)置 262
14.6.4 測(cè)試函數(shù)的編寫 263
14.7 測(cè)試程序的調(diào)試 275
14.7.1 測(cè)試項(xiàng)目的啟動(dòng) 275
14.7.2 測(cè)試項(xiàng)目的調(diào)試 275
14.7.3 測(cè)試結(jié)果 276
第15章 I2C接口的EEPROM存儲(chǔ)器測(cè)試 277
15.1 Datasheet與Testplan的分析 277
15.1.1 Datasheet里的總體性能描述 277
15.1.2 Datasheet里的存儲(chǔ)空間介紹 278
15.1.3 Datasheet里的物理連接介紹 280
15.1.4 Datasheet里的I2C總線介紹 282
15.1.5 Datasheet里的直流參數(shù)含義 285
15.1.6 Testplan的分析 286
15.2 測(cè)試方案的設(shè)計(jì)與調(diào)試 287
15.2.1 測(cè)試電路的設(shè)計(jì) 287
15.2.2 測(cè)試工程的新建 287
15.2.3 測(cè)試程序的PIN MAP設(shè)置 288
15.2.4 測(cè)試程序的Datasheet與Bin設(shè)置 289
15.2.5 連續(xù)性測(cè)試 289
15.2.6 IIL/IIH/ISB的測(cè)試 292
15.2.7 Func_AA的測(cè)試 295
附錄 采樣定理以及ADC的量化噪聲 305
參考文獻(xiàn) 319